gan hfet中的噪声 noise in gan hfet.pdfVIP

下载本文档

3
0
约2.66万字
约 7页
2017-08-22 发布于上海
举报
版权申诉

gan hfet中的噪声 noise in gan hfet.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

gan hfet中的噪声 noise in gan hfet

第2期中目鼋；鲜警研宪F雯罾摹l V01．4No．2 ofCAEIT 2009年4月 Journal Apr．2009 GaN HFET中的噪声薛舫时 (南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室，南京210016) 摘要：从GaN异质结沟道阱中电子状态出发研究了HFET中的噪声产生机理。用沟道阱中子带间散射解释了迁移率起伏引起的1／f噪声。从电子状态转移及不同状态间的跃迁出发解释了各类噪声实验结果。建立了沟道阱能带与HFET噪声性能问的关联。运用正、负极化电荷剪裁了肖特基势垒、欧姆接触及内、外沟道的势垒和主阱及副阱阱宽和势垒高度，降低了栅流、欧姆接触和外沟道串联电阻，强化了沟道阱的量子限制，减弱了子带间散射。关键词：1／f噪声；能带剪裁；负极化电荷；复合势垒；耦合沟道阱中图分类号：TN386文献标识码：A 文章编号：1673-5692(2009)02—125-07 in NoiseGaNHFET XUE Fang—shi ofMonolithic Circuitsand ElectronicDevices (NationalLaboratory Integrated Modules，Nanjing Institute， Key Nanjing210016，China) noisemechanisminGaNHFETsiS fromtheelectronstatesinGaNhetero— Abstract：The investigated structure well．Thenoiseinducedthe fluctuationis the quantum 1／f by mobility explainedby scattering betweendifferent variousnoise inGaNHFETsale theelectron subbands，while phenomena explainedby statetransformsandtransitionsbetween whichthecorrelationbetweenbandsin subbands，through energy channelwellandthenoiseinGaNHFETsis the and using established．Bypositivenegativepolarization barriersforinner widthsandbarrier charges，the channel，outerchannel，Ohmiccontacts，well heights forhost wellaletailoredtoenhancethe confinementofchannel