gan hfet沟道层中的慢输运电子态和射频电流崩塌(续) slow transport electron states in gan hfet channel and radio frequency current collapse (continued).pdfVIP

下载本文档

0
0
约2.51万字
约 7页
2017-08-22 发布于上海
举报
版权申诉

gan hfet沟道层中的慢输运电子态和射频电流崩塌(续) slow transport electron states in gan hfet channel and radio frequency current collapse (continued).pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

gan hfet沟道层中的慢输运电子态和射频电流崩塌(续) slow transport electron states in gan hfet channel and radio frequency current collapse (continued)

第33卷第4期固体电子学研究与进展 Vol_33．NO．4 2013年8月 RESEARC HPROGRESSOFSSE Aug．．2013 矿矿p99∥9吨 1宽禁带半导体≈ ≮，FFFFF3 GaN 薛舫时” (南京电子器件研究所，微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室，南京，210016) 2013 01—09收稿，2013-03—28收改稿 9(2013)040305—07 中图分类号：TN386文献标识码：A 文章编号：1000—381 Slow ElectronStatesinGaNHFETChanneland Transport Radio Current FrequencyCollapse(Continued) XUE Fangshi (Scienceand 011Monolithic CircuitsandModules Technology Integrated Labo，。alot’Y， 6．CHN) Nanjing￡ZPcltronic’DevicesInstitute，Nanjing．21001 EEACC：2560S；2520D；2550E 下降区两种异质结能带，形成电子的输运瓶颈。外射频电流崩塌模型沟道中存在能正常输运的高能电子和受输运瓶颈制约的低能慢电子，慢电子越多．沟道电流越小。在射目前国际上发表的电流崩塌模型都是耗尽模频周期内，当沟道夹断时强场峰增大，输运瓶颈增型，即认为沟道中的电子被表面陷阱或缓冲层陷阱强，慢电子就增多，使漏电流下降。电场变化是以光俘获，耗尽了沟道电子气密度，造成漏电流下降。这速传输的，因此沟道中的正常输运电子可以很快转些耗尽模型较好地解释了实验中观察到的栅延迟、换成输运瓶颈中的慢电子，而一旦转换成慢电子后，漏延迟等各类瞬态电流现象，但是在解释射频电流这些电子电荷就和外电场融合成一个形成输运瓶颈崩塌时，既然射频输出功率低于直流伏安特性算出的异质结环境。外沟道上没有电极，当栅电压进入的预期功率。就必须证明外沟道的射频电阻大于直正半周时，只能通过沟道方向的电场来改变电子状流电阻．因为外沟道势垒表面没有电极，所以内沟道态。慢电子的输运很慢，很难再恢复到正常的异质夹断时外沟道电子只能靠陷阱俘获电子来耗尽。沟结能带结构，转换成正常输运的快电子，导致沟道夹道电子从强电场中获取能量成为高能热电子，再跃断后不容易打开，使射频电流显著下降，产生电流崩迁到表面陷阱，是一个很复杂的过程，实验测量表明塌，这样就从异质结能带和电子状态的变化出发完需要秒量级的弛豫时间，跟不上射频周期变化，这样美地解