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2017-08-22 发布于上海
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gan-mocvd系统反应室流场的数值仿真 numerical simulation of flow patterns in the gan-mocvd reactor

童a叶哉2009年第22卷第5期 GaN．MOCvD系统反应室流场的数值仿真白俊春1，李培成1，郝跃2，杜阳1 (1．西安电子科技大学技术物理学院，陕西西安710071； 2．西安电子科技大学微电子学院，陕西西安710071) 模拟。在模拟过程中．讨论分析了运行参数和反应室结构尺寸的变化对反应室内流场、压力场和温度场的影响及对工艺条件的优化。模拟结果表明。数值仿真对MOCVD设备的结构设计厦调试运行具有重要的指导和辅助作用。关键词GaN—MOCVD；CFD；数值模拟中图分类号TN304．1文献标识码A 文章编号1007—7820(2009)05一062一04 NumericaISimulationofFlowPatternsintheGaN．MOCVDReactor Bai Junehunl，LiPeixianl。HaoYue2，DuYan91 ofTechnical (1．School Physics，XidianUniversity，Xi’卸710071，China； 2．SchoolofMicreelectmnies，XidianUniversity，Xian710071，China) AbstractTheflowof120·GaN-MOCVD room systemresponsedevelopedby觚universityindependendy issimulatedbasedon Fluid thesimulation effect the upon ComputationalDynamics(CFD)．Inprocess，the flowof roomand and fieldsofthe of and parametersresponse response pressuretemperature changesoperating m resultsshowthatnumeficalsimula— roomsizeis andthe conditions analyzed process optimized．Simulation tionisof for and ofthestructureofMOCVDdevices． greatsignificancedesigndebugging simulation KeywordsGaN．MOCVD；CFD；numerical GaN由于优良的特性，对于电子器件和光子温度场的模拟结果，根据流体力学和热传学的理器件方面都有较大发展前景¨以1，但是国内制备论‘63对结果进行了分析说明和讨论，指导了 GaN材料的设备都靠进口，对MOCVD设备的研发 MOCVD设备的研发和实验研究。势在必行。国内对设备的研发取得初步进展，随 1 反应室结构着设备结构的复杂化，计算流体力学(CFD)仿真已经成为各大半导体设备厂商开发MOCVD设备必根据某大学研制的MOCVD系统的反应室采用不可少的辅助手段p。1。