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2017-08-22 发布于上海
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gan hfet中的耦合沟道阱 a coupled quantum wells in gan hfet

第30卷第2期固体电子学研究与进展 V01．30，No．2 OF Jun．，2010 2010年3月 RESEARCHPROGRESSSSE GaN HFET中的耦合沟道阱。薛舫时” (单片集成电路与模块国家级重点实验室，南京电子器件研究所，南京，210016) 2008．11—28收稿，2008—12—29收改稿摘要：从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发研究了GaN异质结构中的耦合沟道阱，求出了耦合沟道阱中电子状态随异质结构的变化，发现通过适当的能带剪裁可以使基态子带和激发态子带分别落在主阱和副阱中，从而显著降低了子带间的散射。使用这种新颖的耦合沟道阱完成了低噪声HFET的优化设计。关键词：耦合沟道阱；能带剪裁；子带间散射；低噪声氮化镓异质结场效应管；优化设计中图分类号：TN386文献标识码：A 文章编号：1000—3819(2010)02一0169一05 A WellsinGaNHFET Quantum Coupled XUE Fangshi Mono“￡“c a，ld Lnbomtor，of Integ他t甜C打c“tsModules，N口njing (Nmi雠以Key EZ舌ffro以缸D已uic￡s J以sfif“把，Ⅳ口强∥起g，210016，CHⅣ) weHsin fromtheself— Abstract：Thecoupledquantum GaNheterostructureareresearched andPoisson ofelectronstates consistentsolutionof variation Schr6dingerequation equation．The in weUwith is Itisfoundthatthefundamentalsubband heterostructure quantum inVestigated． andexcitedsubbandsbe inhostwelland well mayseparated auxiliaryrespectivelythroughappro— band whichthe subbandsisreduced het— priate scatteringamong remarkably．The tailoring，from erostructurefor withlownoiseis thenoVel GaNHFET optimizedbyusing cou