原创力文档gan hemt器件中子辐照效应实验研究 experimental study of neutron irradiation effects on gan hemt devices.pdfVIP
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gan hemt器件中子辐照效应实验研究 experimental study of neutron irradiation effects on gan hemt devices
第31卷第6期 固体电子学研究与进展 V01．31．No．6
2011年12月 OFSSE Dec．，2011
RESEARCH＆PROGRESS
GaN
HEMT器件中子辐照效应实验研究
王燕萍+ 罗尹虹 张科营 王园明
(西北核技术研究所，西安，710024)
20ll一10—17收稿．2011—11一09收改稿
摘要：建立了GaNHEMT器件(氮化镓高电子迁移率晶体管)中子原位测试技术和辐照效应实验方法，开展了
GaNHEMT器件脉冲反应堆中子辐照效应实验研究，重点研究了电离辐射和位移损伤对器件性能退化的影响，获
取了GaNHEMT中子位移损伤效应敏感参数和效应规律。结果表明，阈值电压、栅极泄漏电流以及漏极电流是中
子辐照损伤的敏感参数，讨论了器件性能退化的各种辐射损伤机制。
关键词：氮化镓；高电子迁移率晶体管；中子辐照
中图分类号：TN386文献标识码：A 文章编号：1000一3819(2011)06—0540一05
ofNeutronIrradiation
ExperimentalStudy
EffectsonGaNHEMTDevices
WANG LUO ZHANG WANG
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(Ⅳor￡^叫P5￡，，2sfif“￡P
D’厂Ⅳ“c如dr丁’Pc^，zoZDg：y，Xi’n咒，710024，CjfⅣ)
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online andthe methodsneutronradiation
Abstract：The
testingtechniquesexperimental
havebeen the
effectsonGaN electron transistor)devicesestablished，and
mobility
HEMT(high
neutron HEMTdeViceswerecarriedout．
radiationeffects of reactoronGaN
experimentspulsed
The wasondevice caused radiationand
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TheGaNHEMTneutron sensitiVe andeffected
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damage． displacementdamage
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wereobtained．Thethresh01d
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