gaas pin二极管大功率毫米波单刀双掷开关单片 a high power millimeter wave spdt switch mmic using gaas pin technology.pdfVIP

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2017-08-22 发布于上海
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gaas pin二极管大功率毫米波单刀双掷开关单片 a high power millimeter wave spdt switch mmic using gaas pin technology.pdf

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gaas pin二极管大功率毫米波单刀双掷开关单片 a high power millimeter wave spdt switch mmic using gaas pin technology

第33卷第1期固体电子学研究与进展 V01．33，No．1 2013年2月 RESEARCHPROGRESSOFSSE Feb．，2013 GaAs PIN二极管大功率毫米波单刀双掷开关单片蒋东铭1’2。陈新宇h2杨立杰2 黄子乾2 (1南京国博电子有限公司，南京，210016)(2南京电子器件研究所，南京，210016) 2012-05·23收稿，2012—07—03收改稿摘要：采用76．2mm(3英寸)GaAsPIN二极管工艺设计和制作了大功率毫米波单刀双掷开关单片。采用并联结构的单刀双掷开关以获得较高的功率特性。在片测试表明，在30～36GHz工作频段，开关导通支路插损1．0dB，驻波优于1．5，开关关断端口隔离度大于34dB。开关在导通态下输入功率0．5dB压缩点P_。。a。大于5W。关键词：毫米波；砷化镓；PIN二极管；单刀双掷开关}微波单片集成电路中图分类号：TN312+．4文献标识码：A 文章编号：1000—3819(2013)01—0037—05 A PowerMillimeterWaveSPDTSwitchMMIC High GaAsPIN Using Technology JIANG CHEN YANG HUANG Dongmin91’2Xinyul’2 Lijie2 Ziqian2 (1 GuoboElectronics Nanjing Co．，Ltd，Nanfing，210016，CHN) ElectronicDevices (2Nanfing Institute，Nanjing，210016，CHN) Abstract：A millimeterwave MMICis power high single—pole andfabricated76．2mm(3 GaAsPIN shunt designed using inch)wafertechnology．Byusing SPDTswitch canbeobtained．Overthe30tO36GHz powerperformance configuration，high op— bandwidthfor measurementthe inONstate lessthan1．0dBinser— crating on-chip path appears betterthan tionlOSSand 1．5VSWR．TheinOFFstate than34dBisolation．In path appears large this ONstate，the