InP基三端太赫兹固态电子器件和电路发展-太赫兹科学与电子信息学报.PDFVIP

第 11 卷 第 1 期 太赫兹科学与电子信息学报 Vo1．11，No．1 2013 年 2 月 Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology Feb．，2013 文章编号：2095-4980(2013)01-0043-07 InP 基三端太赫兹固态电子器件和电路发展 金 智，苏永波，张毕禅，丁 芃，汪丽丹，周静涛，杨成樾，刘新宇 ( 中国科学院 微电子研究所，北京 100029) 摘 要 ：随着微电子技术的飞速发展，半导体器件的截止频率已经进入到太赫兹频段，太赫 兹电路的频率特性得到极大发展。以固态器件为基础的太赫兹电路的工作频率进入到 THz 频段。 本文重点介绍 InP 基双极器件和场效应器件的发展以及在太赫兹电路和系统中的应用。 关键词 ：太赫兹；InP 基晶体管；固态电子器件；太赫兹单片集成电路 中图分类号 ：TN322+ .8 文献标识码 ：A Development of InP-based three-terminal terahertz solid state electronic devices and circuits JIN Zhi，SU Yong-bo，ZHANG Bi-chan，DING Peng，WANG Li-dan，ZHOU Jing-tao，YANG Cheng-yue，LIU Xin-yu (Institute of Microelectronics，Chinese Academy of Sciences，Beijing 100029，China) Abstract： The fast development of microelectronics makes the cutoff frequency of semiconductor devices exceed terahertz，which significantly improves the frequency characteristics of terahertz circuits. The solid-state electronic circuits can operate at terahertz frequency. The development of InP-based bipolar devices and field effect transistors are reviewed, and their applications in terahertz circuits and systems are introduced as well. Key words：terahertz；InP-based transistors；solid state electronic device；Terahertz Monolithic Integrated Circuits(TMIC) 1 太赫兹及太赫兹系统 太赫兹指频率在 0.1 THz~10 THz 范围的电磁波，其波长在 30 μm~3 mm 之间，介于微波和光波之间，具有 波长短、透过率高、带宽宽等特点，在太赫兹成像、太赫兹频谱和太赫兹通信等方面具有广阔的应用前景 [1] 。太 赫兹波对很多非极性材料具有很强的穿透力，可以轻易透过多种非金属外包装材料。太赫兹光子能量很低 (只有 几个电子毫伏 ) ，不会对被探测物质造成损伤。在安检成像领域，通过探测分析太赫兹波的时域谱或者 2D 图像， 可以发现隐藏的武器和爆炸物。在无损探测领域，太赫兹波被成功用于检测美国国家航空航天局太空舱的外壁缺 陷情况。在军事研究领域