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不掺杂TiO2陶瓷的缺陷化学与气孔形成机理-中国有色金属学报
第 21 卷第 6 期 中国有色金属学报 2011 年 6 月
Vol.21 No.6 The Chinese Journal of Nonferrous Metals Jun. 2011
文章编号：10040609(2011)06138009
不掺杂 TiO 陶瓷的缺陷化学与气孔形成机理
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严继康 1, 2, 3 ，甘国友 1, 2, 3 ，袁 君 1, 2, 3 ，杜景红 1, 2, 3 ，易健宏 1, 2, 3
(1. 昆明理工大学 材料学院，昆明 650093；
2. 昆明理工大学 有色及稀贵先进材料教育部重点实验室，昆明 650093；
3. 昆明理工大学 云南省新材料制备与加工重点实验室，昆明 650093)
摘 要：通过应用缺陷化学和材料检测手段对不掺杂 TiO 陶瓷气孔形成的机理进行研究。以锐钛矿 TiO 粉体为
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原料，采用传统电子陶瓷工艺制备了不掺杂 TiO 陶瓷，应用 SEM、EDS和 XPS测试在 1300、1350和 1 400 ℃
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烧结的不掺杂 TiO 陶瓷样品的显微结构、化学组成和离子价态；根据不掺杂 TiO 陶瓷晶粒的缺陷化学方程式和
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电中性条件，计算 TiO 晶粒的缺陷浓度；基于点缺陷热力学方法，计算不掺杂 TiO 陶瓷晶界的氧空位分布。结
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果表明：随烧结温度的升高，颗粒间的气孔逐渐减小，而晶粒中的气孔则逐渐长大，这是由于氧空位浓度随温度
的增加而增加引起的。不掺杂 TiO 陶瓷的氧空位在晶界出现偏析行为，并随烧结温度的增加，晶粒中的氧空位浓
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度和晶界氧空位浓度均随之增加。不掺杂 TiO 陶瓷中存在三价钛离子和晶界吸附氧，三价钛离子浓度和晶界吸附
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氧含量随烧结温度的增加而增加。不掺杂 TiO 陶瓷晶粒和晶界中存在较多气孔，主要起源于高温烧结过程中晶格
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氧的挥发和氧空位在晶界的偏析。
关键词：TiO 陶瓷；缺陷化学；气孔；显微结构
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中图分类号：TQ174 文献标志
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