第3章太阳电池原理和结构.ppt

第3章 太阳电池的原理及结构;主要内容：;3.1 太阳能电池的原理及结构;p-n结光生伏特效应:;P;正向电流;上图分别是无光照和有光照时的光电池的伏安特性曲线;入射光子被吸收产生电子-空穴对 hγ＞ Eg 电子-空穴对在复合之前被分开 p-n结存在内建电场 分开的电子和空穴传输至负载 连接导线;3.1.2 表征太阳能电池的参数; 在p-n结开路情况下（R=∞），此时pn结两端的电压即为开路电压Voc。 这时，I=0，即：IL=IF。将I=0代入光电池的电流电压方程，得开路电压为：;３.填充因子FF;４.太阳能电池的光电转化效率η; 能量hν大于材料的禁带宽度Eg，被材料吸收而激发电子-空穴对，最大短路电流值显然仅与材料带隙Eg有关，其关系如图所示。;开路电压Voc的考虑：;填充因子FF的考虑：;综合上述结果，可得到作为带隙Eg的函数的最大转换效率，其结果示于右图中。;实际太阳电池的等效电路图;3.1.3 硅太阳电池制备及结构;痒酪掸冕确送陪帆膀众罪僻迸迅头寝匡昧预捡瓜莹地仔粳正乎蝴纠苗狗帜第3章太阳电池的原理及结构第3章太阳电池的原理及结构;p-n结的制备技术：;固态磷扩散：利用与硅片相同形状的固态磷源材料[Al(PO3)3]，即所谓的磷微晶玻璃片，与硅片紧密相贴，一起放入热处理炉内，在一定温度下，磷源材料表面挥发出磷的化合物，通常是P2O5，与硅反应生成磷原子及其它化合物，导致磷源子不断向硅片体内扩散。;液态磷源扩散可以得到较高的表面浓度，在硅太阳电池工艺中更为常见。通常利用的液态磷源为三氯氧磷，通过保护气体，将磷源携带进入反应系统，在800～1000℃之间分解，生成P2O5，沉积在硅片表面形成磷硅玻璃，作为硅片磷扩散的磷源，其反应式为：;金属电极的制备技术：; 背电场技术：; 由于背面的高低结势垒与硅片正面形成的p-n结势垒方向一致，能够提高电池的开路电压；另外，高低结势垒对p区少子-电子有阻挡和反射作用，既减少了背表面之复合作用，又提高了pn结对光生少子的收集几率，也能提高电池的短路电流。;减反射技术：; 第二类是在硅片的进光面上，采用各向异性化学腐蚀，制得特殊表面结构：如绒面、微槽面等。下图是绒面结构和V型槽结??的示意图。;表面钝化技术：;为了避免隧穿效应的影响，在钝化层中利用光刻技术刻出一个个接触微窗（小于接触电极面积），使金属与n+-Si直接接触以提高光电流的收集效率。同时也可减少金属电极的覆盖率。; 在这种电池结构中，为了进一步减少受光面的界面复合和光学损失，采用了倒金字塔型减反结构，并在其上加上极薄SiO2层，再在其上覆盖双层减反膜以达到最佳减反效果。同时，在里电极上也加入极薄氧化层进行钝化以减弱背面复合，在钝化膜上刻出引入电极的窗口，利用窗口进行定域B扩散形成背电场，再将电极金属覆盖上形成电池。这种结构的太阳能电池达到了单晶硅太阳能电池的最高转换效率，在AM1.5的光照下效率可达24%以上。;3.1.4 薄膜太阳电池制备及结构;背面接触;(3) 非晶硅薄膜电池;(4) CIS薄膜电池;CIS(CIGS)-基薄膜太阳能电池所具有的优势：; CIS薄膜主要的制备技术包括：真空蒸镀、电沉积、反应溅射、化学浸泡、快速凝固技术、化学气相沉积、分子束外延、喷射热解等。按照初期投资资本的大小又可以将上述技术划分为真空制备技术与非真空制备技术两类，下面我们分别介绍一下。; 按照蒸发热源数目的多少可分为单源蒸发、双源蒸发和三源蒸发。 单源蒸发就是利用单一热源(如热丝)加热CIS合金，使之蒸发沉积到玻璃基片上，获得CIS薄膜； 双源蒸发即利用两个热源分别是Cu3Se2和In2Se3蒸发后沉积在基片上，获得单相薄膜； 三源蒸发即利用三个热源使Cu、In和Se三者分别蒸发后共同沉积到基片上，采用三源蒸发的关键是要控制三者蒸发和沉积的速率，以获得预期的成分。 ; 溅射过程可定义为因受到高能粒子的撞击而引起的靶粒子喷射。该技术是物理过程而不是化学过程。因此极适于生长熔点和蒸气压都不相同的元素所构成的化合物合金以及大面积薄膜的沉积。 ;CIGS非真空沉积技术 Non-vacuum methods of CIGS thin films; 1 电沉积：电沉积是一种电化学过程。电沉积已成功用于4元化合物CIGS膜，在经过后续处理后，小面积电池的转换率超过10％。通过添加In和Ga，并在高温真空热处理后，转换率达15.4％。目前的困难仍然是化学溶液的稳定性，大面积膜的均一性和高沉淀率。 ;以上为CIS薄膜的各种制备方法，下面我们简单介绍一下其余各层的制备方法：;CIS电池的制备过程：;C