微电子器件(3-8)BJT放大系数和频率关系.pptVIP

3.8 电流放大系数与频率的关系;电流、电压和电荷量的符号（以基极电流为例） 总瞬时值： 其中的直流分量： 其中的高频小信号分量： 高频小信号的振幅：; 随着信号频率 f 的提高， 和 的幅度会减小，相角会滞后。; 以 PNP 管为例，高频小信号电流从流入发射极的 ie 到流出集电极的 ic ，会发生如下变化：; 3.8.2 基区输运系数与频率的关系; (1) 复合损失使 的物理意义：基区中单位时间内的复合率为 ，少子在渡越时间 ?b 内的复合率为 ，因此到达集电结的未复合少子占进入基区少子总数 ，这就是 。这种损失对直流与高频信号都是相同的。; 已知在直流时， ，现 假定 上述关系也适用于高频小信号，即：;代入略去 　 后的空穴电荷控制方程中，得：; 上式可改写为; 4、 在复平面上的表示; 由于采用了 的假设而使 的表达式不够精确 ，因为这个假设是从直流情况下直接推广而来的。但是在交流情况下，从发射结注入基区的少子电荷 qb ，要延迟一段时间后才会在集电结产生集电极电流 ipc 。; 这样，虽然少子在基区内持续的平均时间是 ?b ，但是只有其中的 时间才对 ipc 有贡献，因此 ipc 的表达式应当改为; 准确的 表达式应为; 当　　　 时，上式可表为;因子 使点 P 还须再转一个相角　　 后到达点 P ’ ，得; 3.8.3 高频小信号电流放大系数; 当不考虑扩散电容与寄生参数时，PN 结的交流小信号等效电路是 发射极增量电阻 与电容 CTE 的并联。; 暂不考虑从基区注入发射区形成的 ine（即假设 ）时，; 2、发射结扩散电容充放电时间常数; 流过电阻 re 的电流为;式中，; 3、集电结耗尽区延迟时间; 设电荷量为 qc 的基区少子（空穴）进入集电结耗尽区后，在它通过耗尽区的 ?t 期间，平均而言会在耗尽区两侧分别感应出两个 ( -qc /2 ) 的电荷。; 平均而言，; 4、集电结势垒电容经集电区充放电的时间常数; 总的高频小信号集电极电流为; 5、共基极高频小信号短路电流放大系数及其截止频率; 当 IE 很大时， 这时α0 α 。; 称为 信号延迟时间，代表信号从发射极到集电极总的延迟时间，则 可写为; 可见，在直流或极低频下， 随着频率的提高， 的幅度 下降，相角 滞后。;这时 与 的区别仅在于用 代替 。;（2）对 fa 500 MHz 的现代微波管，WB 1 ?m ，?b 只占 ?ec 中很小一部分， 　 就更小了，因此，可忽略　　 ，得：; 6、共发射极高频小信号短路电流放大系数及其截止频率; 的截止角频率 和 截止频率，记为 和 ，即：; 与 的关系; 3.8.4 晶体管的特征频率; 在此频率范围内， ic 比 ib 滞后 900 ，且 与 f 成反比，即频率每加倍， 减小一半。由于功率正比于电流平方，所以频率每加倍，功率增益降为 1/4 。 ;因 所以 fT 可表为;可得 的关系曲线; 实际测量 fT 时，不一定要测到使 下降为 1 时的频率，而是在