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2.3 和理想模型偏离
2.3 直流特性与理想模型的偏离;一、复 习;一、复 习;一、复 习;二、理想pn结模型(四个假设);二、理想pn结模型;二、理想pn结模型;三、实际PN结直流I-V特性与理想模型的偏离;2、实际与理想I-V特性曲线对比;3、引起偏离的原因;3、引起偏离的原因;3、引起偏离的原因;3、引起偏离的原因;3、引起偏离的原因;3、引起偏离的原因 ;3、引起偏离的原因;大注入效应;大注入效应;大注入效应;大注入效应;大注入效应;大注入效应;大注入效应;大注入效应;大注入效应;大注入效应;2.4 PN结的小信号特性与扩散电容;一、 PN结的小信号特性;;二、扩散电容;二、扩散电容;二、扩散电容;3、讨论
(1)以上分析时浓度分布用的是稳态分布情况,所以结论近似用于低频情形
(2)由于扩散电容随正偏电压呈指数增加,所以在大的正偏电压时,扩散电容起主要作用
(3)对于单边突变结P+N, ,主要是重
掺杂区向轻掺杂区扩散,因而
;;一、势垒电容;2.电容效应分析
(1)势垒电容是在耗尽近似下分析的
(2)势垒区上的电位差为 时对应的势垒区宽度为 ,当电压增加 时,势垒区两侧宽度均减小,分别为 和 。与范围内对应的变化电荷 、 ,它们产生的电位差即为 。;一、势垒电容;一、势垒电容;势垒电容与扩散电容的特征比较;二、PN结的开关特性;二、PN结的开关特性;
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