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2010固体中电子(第五章)
§1 固体的能带 ; 解定态薛定格方程(略），
可以得出两点重要结论：;二. 能带(energy band);能带的宽度记作?E ，数量级为 ?E～eV。;离子间距;三 . 能带中电子的排布; 电子排布时，应从最低的能级排起。;§2 导体和绝缘体
（conductor ．insulator）;导体; 在外电场的作用下，大量共有化电子很
易获得能量，集体定向流动形成电流。;从能级图上来看，是因为满带与空带之间
有一个较宽的禁带（?Eg 约3～6 eV），
共有化电子很难从低能级（满带）跃迁到
高能级（空带）上去。;绝缘体与半导体的击穿;§３ 半导体的导电机构;例. 半导体 Cd S;这相当于产生了一个带正电的粒子
(称为“空穴”) , 把电子抵消了。;空带;?解?;二. 杂质半导体; n 型半导体 ;２.ｐ型半导体;空 带;3. n型化合物半导体;三. 杂质补偿作用;§4 Ｐ-Ｎ结;内建场大到一定
程度,不再有净电
荷的流???，达到
了新的平衡。;P-N结处存在电势差Uo。;考虑到P-Ｎ结的存在，半导体中电子
的能量应考虑进这内建场带来的电子
附加势能。;空带;二 . Ｐ-Ｎ结的单向导电性;外加正向电压越大，
正向电流也越大，
而且是呈非线性的
伏安特性(图为锗管)。;２. 反向偏压;但是，由于少数
载流子的存在，
会形成很弱的反
向电流，;利用P-N结
可以作成具有整流、开关等
作用的晶体二极管（diode）。;§５ 半导体的其他特性和应用;1947年12月23日，美国贝尔实验室
的半导体小组做出了世界上第一只
具有放大作用的点接触型晶体三极管。;p;集成电路 ;夸绪澈邀藩突慢堵艾恍逛圈递企墨联淌负叔逗峻升讫窗舞炳骂枢撮纤帖哩2010固体中的电子(第五章)2010固体中的电子(第五章); ?半导体激光器; 典型尺寸：;当正向电压大到一定程度时，在某些特
定的能级之间造成粒子数反转的状态，
形成电子与空穴复合发光。;半导体激光器的特点：
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