2010第一章-- x射线的性质.pptVIP

1-51 X射线的本质: 波长很短的电磁波 （3）X射线管的结构： 阴极：发射电子。由钨丝制成，通电后，钨丝发热释放自由电子， 奔向阳极 。 阳极：亦称靶，是使电子突然减速并发射X射线。 通常的靶材有: Cu、Mo、Co 等 良好的循环水冷却，防止靶熔化 窗口：窗口是X射线从阳极靶向外射出的地方。通常用金属铍， 特征X射线的频率由靶原子能级的差值决定, 只取决阳极靶材料的原子序数，是元素的固有特性。 莫塞莱定律描述了它与原子序数Z的关系。 产生某系激发要阴极电子的能量eU 至少等于击出一个　　某层电子所作的功（将某层电子变成自由电子所需要的 能量）。 　　 临界激发电压：电子具足够能量把靶原子某一能级上的电子打掉，从而产生特征x-ray所必须达到的最低电压。 对于同种原子：临界激发电压Vk VL VM VN 对于不同种原子：原子序数大的临界激发电压大。 ●特征X射线谱产生条件： En ( eV) 氢原子能级图 -13.6 -1.51 -3.39 0 n = 1 n = 2 n = 3 n = 4 n = 5 n = 6 选看 附：氢原子能级图 ●特征X射线的波长： 式中： z—靶材料的原子序数 K—常数（与靶材物质总量子数有关） (看书P9-10) σ—常数（与电子所在壳层位置有关） 连续谱的只能增加衍射花样的背底。 V=（3～5）VK时，I标/I连最大， VK 为临界激发电压 ●辐射源选择： 在X射线的多晶体衍射中，主要利用Kα线做辐射源，L系或M系由于波长太长， 容易被物质吸收，所以 不利用 ● X射线管最佳工作电压： V=（3～5）VK 看书: P10, 表1-1 一．连续X射线谱 　　特点 　　产生原因 (减速辐射) 二．特征X射线谱 特点 　　产生原因 　　产生过程 产生条件 　　特征X射线命名 　　特征X射线的波长 X射线谱的小结： 三.在X射线的多晶体衍射中，主要利用Kα线做辐射源 X射线管最佳工作电压： V=（3～5）VK 一束X射线通过物质时，它的能量可以分为三部分： 　 § 1-5 X射线与物质相互作用 ? 散射 相干 非相干 真吸收 光电子 X射线的强度衰减的原因：“吸收”=真吸收+散射； 俄歇效应（产生Auger 电子） 热 透过的强度 X射线作用于物质 二次特征X射线 X射线与物质的相互作用，是一个比较复杂的物理过程 一束X射线通过物体后，其强度被衰减，是其散射和真吸收的结果，真吸收是造成强度衰减的主要原因。 一. X射线的散射 可分为 相干散射和不相干散射 相干散射: X射线波长不变 在入射束电场的作用下，物质原子中的电子被迫围绕其平衡位置振动，向四周辐射与入射x-ray波长相同的散射x-ray。 同一方向上各散射波符合相干条件，相互干涉后，能量集中在某些方向，得到一定的花样。 相干散射是x-ray在晶体中产生衍射现象的基础。 2. 不相干散射: X射线波长变大 二. 物质对X射线的真吸收 发出光电子 俄歇效应（发出俄歇电子） 荧光（二次特征X射线辐射） 热 真吸收 1.概念：光电子，荧光X射线 当入射光的能量足够大时，可以击出被照物质原子中的电子，击出的电子称为光电子, 同时，较外层电子向空位层跃迁辐射出的次级特征X射线称为荧光X射线（二次特征X射线）。 X射线荧光（二次特征X射线）产生条件: 如果要产生K系X射线荧光, 入射X射线的能量 至少等于击出K层电子所作的功 。 为产生K系荧光辐射 ，入射光能量 式中：VK— 把K层电子击出的最小电压 λK—把K层电子击出入射光最长波长 只有入射X射线的λ≤λK时才能产生K系荧光辐射。 λK称K系激发限或吸收限。 概念：激发限或吸收限 概念：俄歇(Auger)效应 当激发源的能量足够大时，可以击出被照物质原子中的电子，击出的电子称为光电子, 同时，较外层电子向空位层跃迁时产生的能量并没有以X射线的形式辐射出,而是打出某层的一个电子，该电子较电子叫俄歇电子，该效应俄歇(Auger)效应。 俄歇(Auger)效应示意图 主讲老师: 胡锦莲 自查书目和文献： (1) 学校数字图书馆，“超星”里搜索 有关材料分析类书