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武汉理工大学学报郑志平蒙芳权琳王晶龚树萍周东祥报道了溴化铊多晶材料的真空蒸馏提纯工艺对溴化铊单晶性能的影响先以硝酸铊和氢溴酸原料采用化学共沉淀法合成了多晶粉体然后采用真空蒸馏法在不同的温度下对多晶粉体进行提纯用电感耦合等离子质谱法研究不同的提纯温度对多晶粉体纯度及杂质含量的影响接着选用纯度较高的多晶粉体采用垂直布里奇曼法生长了直径的单晶测试结果表明真空蒸馏提纯后多晶粉体杂质含量均减小一个数量级单晶的射线衍射测试表明生长出的单晶其主要生长方向晶体的电阻率提高个数量级以上达到光学特性也明显改善适合于
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Article · March 20
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Fang M
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