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(1) 2 (2) (3) 3.限制光子的光波导壁界 4.限制载流子的势垒 * * * ——扩散电容 (2) 扩散电容 也称电荷存储电容（charge storage capacitance ） 同理： 那么， 显然， CT与CD都与p-n结的面积A成正比，且随外加电压而变化。 （3）总电容 p-n结的总电容为两者之和： 大正向偏置p-n结时，以CD为主，Cj≈CD 小正向偏置或反向偏置p-n结时， 以CT为主，Cj≈CT 点接触型 正极 引线 触丝 N 型锗片 外壳 负极 引线 负极引线 面接触型 N型锗 PN 结 正极引线 铝合金 小球 底座 金锑 合金 正极引线 负极引线 集成电路中平面型 P N P 型支持衬底 点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。因此，其PN结的静电容量小,适用于高频电路。 因为构造简单，所以价格便宜。对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言，它是应用范围较广的类型。 点接触型 正极 引线 触丝 N 型锗片 外壳 负极 引线 面结型与点接触型二极管相比较，正向特性和反向特性好，因此，用于大电流和整流。 负极引线 面接触型 N型锗 PN 结 正极引线 铝合金 小球 底座 金锑 合金 正极引线 负极引线 集成电路中平面型 P N P 型支持衬底 影响p-n结伏-安特性的主要因素： 产生偏差的原因： （1）正向小电压时忽略了势垒区的复合；正向大电压时忽略了扩散区的漂移电流和体电阻上的压降。 （2）在反向偏置时忽略了势垒区的产生电流。 三.p-n结的异常特性 1.p-n结I-V特性的非理想因素 空间电荷区的复合电流（正向） 空间电荷区的产生电流 （反向） 注入p+-n结的n侧的空穴及其所造成的电子分布 大注入 （正向） 扩散区产生内建电场 扩散系数D 2D 2. p-n结的击穿(Berakdown) 在反向偏置下，当反向电压很大时， p-n结的反向电流突然增加，从而破坏了p-n结的整流特性-- p-n结的击穿。 p-n结中的电场随着反向电压的增加而增加，少数载流子通过反向扩散进入势垒区时获得的动能也就越来越大，当载流子的动能大到一定数值后，与中性原子碰撞时，可以把中性原子的价电子激发到导带，形成电子-空穴对——碰撞电离。 (1)雪崩击穿(Avalanche berakdown) 连锁反应，使载流子的数量倍增式的急剧增多，因而p-n结的反向电流也急剧增大，形成了雪崩击穿。 影响雪崩击穿电压的主要因素： 1.掺杂浓度: 掺杂浓度大,击穿电压小。 2.禁带宽度: 禁带宽度越宽,击穿电压越大。 3.温 度: 温度升高,击穿电压增大.正温度系数。 (2)齐纳击穿(Zener berakdown)或隧道击穿 是掺杂浓度较高的非简并p-n结中的击穿机制. 根据量子力学的观点,当势垒宽度XAB足够窄时,将有p区电子穿透禁带.当外加反向电压很大时,能带倾斜严重,势垒宽度XAB变得更窄.造成很大的反向电流.使p-n结击穿. XD XAB 影响齐纳击穿电压的主要因素： 1.掺杂浓度:掺杂浓度大,击穿电压小. 2.禁带宽度:禁带宽度越宽,击穿电压越大. 3.温度:温度升高,击穿电压下降.. 齐纳击穿电压具有负的温度系数,而雪崩击穿电压具有正的温度系数,这种温度效应是区分两种击穿机构的重要方法. 掺杂浓度高,反向偏压不高的情况下,易发生齐纳击穿. 相反,易发生雪崩击穿. (3)热击穿 禁带宽度较窄的半导体易发生这种击穿. 稳压管 应用举例 碰撞电离雪崩渡越时间二极管（IMPATT）Impact Avalanche Transit Time 加反向直流电压使IMPATT正好处于雪崩击穿临界点，再叠加一个小的微波信号。 当p-n结的两边都是重掺杂时: (1) 费米能级分别进入导带和价带. (2)势垒十分薄. 在外加正向或反向电压下,有些载流子将可能穿透势垒产生额外的电流. —隧道电流 平衡时 四.p-n结中的隧道效应 加正向电压的情况 加反向电压的情况 热平衡（无外加电压） 扩散电流 隧道二极管的优点： 温度影响小、高频特性良好 应用于低噪声高频放大器及高频振荡器中（其工作频率可达毫米波段），也可以被应用于高速开关电路中。 江崎二极管 隧道二极管的伏安特性 常用的隧道二极管脉冲电路 若选取R、E的不同数值，可作三种具有代表性的直流负载线 ： 负载线Ⅰ图（a)与伏安特性交于低压正阻区a点，它是稳定点，用于构成单稳电路。 负载线Ⅱ与伏安特性相交于负阻区的b点，它是不稳定点，用于