薄膜材料与jishu lecture 8.ppt

有机薄膜沉积速率优化 HTL-1 EML-1 有机薄膜沉积速率优化 (a) 0.02nm/s (b) 0.09nm/s (c) 0.24nm/s (d) 1.33nm/s 有机薄膜沉积速率优化 HTL-2 染料掺杂浓度的研究 E：0wt％, F：0.33wt％ G：0.43wt%, H：1.1wt% I：3.7wt% GD-1 染料掺杂浓度的研究 GD -2 蒸镀过程中关键设备---封装技术 EL glass UV seal Cap glass Bubble press 4 有机发光显示器件工艺技术 氮化铁薄膜材料的制备 真空蒸镀法 Kim和Takahashi得到多晶的氮化铁薄膜。该方法比较繁琐而且可重复性差 分子束外延法 Sugita首次合成了单晶 薄膜，且证明的该相的巨磁性。但得到的薄膜样品很小，沉积率极低 离子注入法 Nakjima和Okamoto合成了含 相薄膜材料，但退火时间很长，目前还未见到有用该方法制备单相 薄膜材料的报道 磁控溅射法 是常见的合成 化合物相薄膜的方法。所制备的样品尺寸较小 巨磁阻锰氧化物薄膜材料 概述 1857年，Thomson发现铁磁多晶体的各相异性磁电阻效应（AMR） 1971年，Hunt提出可以利用铁磁金属的各向异性磁电阻效应制作磁盘系统的读出磁头 1985年，IBM公司把Hunt的想法实施并商品化 1988年，Baibich等首次发现 多层膜的磁电阻效应 随之，氧化物巨磁电阻薄膜应运而生 磁阻的定义 指导体在磁场中电阻的变化，通常用电阻变化率Δρ/ρ表示 巨磁电阻（GMR）效应，是指某些磁性或合金材料的多层膜的磁电阻在一定磁场作用下急剧减小，而Δρ/ρ急剧增大的特性 钙钛矿锰氧化物薄膜中的CMR效应及机制研究 掺杂稀土锰氧化物样品电阻-温度曲线的共同特征是存在电阻率极大值 制备工艺及表征 制备 激光脉冲沉积 磁控溅射 离子束溅射 分子束外延 金属有机化学气相沉积 表征 结构 XRD，中子衍射和电子衍射等 电阻 标准四点法 磁特性 超导量子干涉仪 应用现状 巨磁电阻材料易使器件小型化、廉价化 主要用于高密度记录读出磁头、磁传感器、随机存储器、磁光信息存储、汽车等 与光电传感器相比，它具有功耗小、体积小、价格便宜和更强的输出信号以及能工作于恶劣条件等优点 有机薄膜器件应用 OLED OPV * OLED 介紹 有機發光二極體（Organic Light Emitting Diode，OLED） Pope博士的研究小組於1963年，首先在偏壓400 V以上的蒽單晶 (Anthracene)觀察到電激發光(EL)的現象。 1987年美國Kodak公司Tang等人利用熱蒸鍍方式將Alq和HTM-2製作成異質結構的OLED，並有低驅動電壓和高量子效率的特性，為一大突破。 1990年英國劍橋大學Burroughws的研究小組發表以共軛高分子材料PPV(Poly p-phenylene vinylene)為發光層的OLED元件。 * OLED 基本結構 陰極 電子傳輸層 發光層 電洞傳輸層 電洞注入層 陽極 玻璃基板 * OLED 基本發光原理 從電極向有機薄膜注入載體(電子和電洞) 所注入之載體向相反電極移動 載體再結合而產生激發複合體 激發複合體的移動(擴散) 由激發複合產生發光作用 * OLED 基本發光原理 發光體材料基本上可分為兩類，一類是本身就具有電荷傳輸的性質，稱為主發光體（host emitter），它可以再分為傳電洞與子兩種。 另一類發光體型稱為客發光體（dopant emitter），它是利用共蒸鍍（co-evaporation）的方式將它分散在主發光體中，並且利用能量轉換或載子捕捉的原理使得分散在主發光體中的客分子（dopant）發光。 * OLED 薄膜的材料 * OLED 薄膜的材料 陰極的金屬必需具備低功函數的特性，才能有效的將電子注入有機層內 ，例：鎂銀以十比一的比例形成合金 。 電子傳輸材料上，Alq3是目前最普遍的一種傳電子的主發光體，它是一種介於有機與無機化合物之間的有機金屬化合物，將它夾在金屬電極與有機材料之間，可能可以調和（mediate）有機物與無機物之間界面斷裂的現象。 電洞傳輸材料上，除了要有高的耐熱穩定性以及要能夠自然形成好的薄膜型態（thin-film morphology）之外，設法減少HTL與陽極間的能障，材料例：NPB、TPB。 電洞注入層會加在ITO 與HTL 之間，主要是由於ITO 與HTL 之間的能障很大，這會造成元件的驅動電壓升高，間接使得元件的壽命