薄膜技术第三章：薄膜的形成结构和缺陷.pptVIP

3-2 核形成与生长 3.2 原子聚集理论（统计理论） 问题提出 热力学界面能理论的两个假设：一是认为核尺寸变化时，其形状不变；二是认为核的表面自由能和体积自由能与块体材料相同。 显然，此假设只适用于比较大的核（大于100个以上的原子）。 3-2 核形成与生长 ?原子聚集理论（统计理论） 原子聚集理论的基本内容 为了克服理论上的困难，1924年Frenkel提出了成核理论原子模型，并不断发展。 临界核 原子聚集理论将核（原子团）看作一个大分子，用其内部原子之间的结合能或与基片表面原子之间的结合能代替热力学理论中的自由能。 当临界核尺寸减小时，结合能出现不连续性、以及几何形状不能保持不变。 无法给出临界核大小的解析式。 3-2 核形成与生长 ?原子聚集理论（统计理论） 3-2 核形成与生长 ?原子聚集理论（统计理论） 温度T 1、 T2和T3称为转变温度或临界温度转变温度或临界温度，有如下计算公式： 原子团结构也与吸附能和结合能有关。如4原子团有平面结构和四面体结构： 平面结构：吸附能为4 E d ，结合能为5 E 2 四面体结构：吸附能为3 E d ，结合能为6E 2 只有 时，才能形成四面体结构。 3-2 核形成与生长 成核速率 成核速率与临界核面密度、临界核捕获范围和吸附原子向临界核扩散的总速率有关。 由统计理论可得到临界核密度： 式中，n 0和n1分别为基片表面上的吸附点密度和吸附单原子密度， i为临界核中的原子数目， Ei是临界核的结合能， E1是单原子吸附状态下的势能。 3-2 核形成与生长 成核速率 若将E1作为能量基准，则 3-2 核形成与生长 成核速率 令 ， 可以得到转变温度T 1 ， 可以得到转变温度 T 2 3-2 核形成与生长 ?两种成核理论的比较 a.理论依据的基本概念相同，得到的成核速率公式的形式相同； b.采用的能量不同：热力学界面能理论用自由能，原子理论用结合能； c.微观结构模型不同：热力学界面能理论采用简单理想化几何构型（能量连续变化），原子理论采用原子团模型（能量非连续）； d.热力学界面能理论适用于大的临界核，原子理论适用于很小的临界核； e.两种理论都能正确给出成核速率和临界核、基片温度和基片性质的关系。 3-3薄膜形成过程与生长模式 薄膜形成过程是指形成稳定核之后的过程。 薄膜生长模式是指薄膜形成的宏观形式。 3-3薄膜形成过程与生长模式 ?薄膜形成过程描述: 1. 单体吸附； 2. 形成小原子团（胚芽）； 3. 形成临界核（开始成核）； 4. 临界核捕获原子，开始长大； 5. 临界核长大的同时，在非捕获区，单体逐渐形成临界核； 6. 稳定核长大，彼此连接形成小岛，新面积形成； 7. 新面积吸附单体，发生“二次”成核； 8. 小岛结合形成大岛，大岛长大并相互结合，有产生新面积，并发生“二次”、“三次”成核； 9. 形成沟道和带有孔洞的薄膜； 10.沟道填平，封孔，形成连续薄膜。 3-3薄膜形成过程与生长模式 岛状阶段 薄膜形成可划分为四个阶段： 成核 结合 沟道 连续 ?薄膜形成过程描述: 岛的演变特点: ?? 可观察到的最小核尺寸：2-3nm； ?? 核进一步长大变成小岛，横向生长速度大于纵向生长速度； ?? 形状：球帽形——圆形——多面体 3-3薄膜形成过程与生长模式 岛生长的条件 ?薄膜形成过程描述: 岛的形成可以用热力学变量描述：表面自由能。 岛的形成又可以用另一热力学变量描述：吸附能。 界面结合能（粘附功）是指原子团（核）吸附前后体系总的自由能变化，即Ecom 3-3薄膜形成过程与生长模式 岛生长的条件 当 时， 有 三维生长判据 晶格失配能是指单位面积界面晶格失配产生的能量变化。 3-3薄膜形成过程与生长模式 岛生长的条件 ?薄膜形成过程描述: 总的吸附能为： 式中， S是原子团（核）投影面积。由此可导出另一形式判据。 联并阶段 相邻小岛联并成大岛，接触面积减小，自由能下降。 3-3薄膜形成过程与生长模式 联并阶段 ?薄膜形成过程描述: 联并过程的动力学关系： 式中， r 是小岛的半径， r‘ 是颈部的曲率半径， D是吸附原子的扩散系数， 是表面自由能，m 和 k是常数，V是原子体积，n 是吸附原子在岛上的面密度。 3-3薄膜形成过程与生长模式 沟道阶段 ?薄膜形成过程描述: 连续薄膜阶段 孤立的岛有变圆的趋势。当岛结合以后，在岛的生长过程中变圆趋势减小，