第5章典型激光器(半导体激光器).pptVIP

第五章 典型激光器 ——半导体激光器 1、半导体基础知识 1.1 晶体 晶体：原子的周期性规则排列所造成的由外平面包围的多面体固体 晶胞：周期性结构中的最小重复单元 晶面：晶体中的任一平面 晶向：晶面的法向方向 晶面的定义 1.2半导体的能带 直接带隙半导体：高发光效率 Ga As, InP, AlAs, GaAlAs, InGaAsP 间接带隙半导体：低发光效率 Ge, Si 1.3 费米-狄拉克分布 p型、n型和I型半导体 施主杂质：掺杂到半导体中提供多余电子的元素，如P、S、As等 受主杂质：掺杂到半导体中提供多余空穴的元素，如B、Be、Zn、In等 n型半导体：掺杂施主杂质，形成电子导电型半导体 P型半导体：掺杂受主杂质，形成空穴导电型半导体 I型半导体（本征型半导体）：没有杂质的半导体 掺杂对费米能级的影响 掺杂对费米能级的影响 2、 LED原理特性介绍 2.1 LED发光机理 1. 载流子的复合 pn结 2. pn结的能带图 当pn结加正向电压时，导致p、n处费米能级不一致，在pn结附近产生了粒子数反转。电子和空穴的复合几率增加，产生光子发射。 3. LED内的复合种类 1.带间复合：导带中电子和介带中空穴的复合，产生的光子能量接近禁带宽度,即 2.2 LED的内量子效率 LED的内部量子效率 LED的外部量子效率 LED的外部量子效率定义为总的光输出功率和总的电功率输入之比 一些半导体材料的外部量子效率 2.3 LED的性能 1. LED的带宽 2.LED的电光特性 6.2.4 LED的结构 如何提高外量子效率 异质结发光二极管 3、 LD的原理 3.1 粒子数反转条件 3.4 LD的输出特性 1、输出功率特性 LD的模式特性 LD的热稳定性 LD与其它激光器相比优缺点 优点： 1.灵活调整波长 2. 激励功率较小，效率高（20%） 3. 调制性能好（直接调制，调制深度可控，调制速度快，ps水平） 4.体积小 缺点： 1.单色性差 ~1A 2.远场特性差 3. 输出功率小 4.热稳定性差 其他激光器 一、自由电子激光器 如果激光频率和中心频率重合，则 激光振荡时，G=?，因此阈值电流密度为 影响阈值电流的因素： 阈值电流密度和激光器的材料、结构、制作工艺有关 阈值电流密度和模的限制距离成正比，与pn结长度成反比。 阈值电流密度和工作温度有关。随着温度的上升而上升。 阈值电流密度和反射率有关，提高反射率可以降低阈值电流 一般同质半导体激光器阈值电流密度较大 pn结内部的量子效率为?i，每秒钟产生的光子数 在阈值电流下，损耗的光子数和产生的光子数相等，因此损耗的光子数为 因此实际产生的光子功率为 LD输出功率为 微分外量子效率：输出光子的增长率/注入载流子对增长率 Po代入 半导体激光器的功率效率 横模：LD有源层的厚度0.15um， LD有源层宽度10um，单侧向模，单横向模 目前的LD均为单模方式 纵模：有单纵模LD和多纵模LD 横向 侧向 LD的远场特性 由于LD内光学腔为矩形，导致出射光在垂直厚度方向发散角大，而水平方向发散较小。 有源层厚度d较大时(2um) 水平方向发散角 W为横向宽度。典型的LD发散角：水平5度，垂直30度 1. LD的阈值电流随温度的升高而上升 Troom为室温，T0称为特征温度, 一般用T0表示LD的热稳定性 2. 阈值电流的增大会导致输出功率的降低，影响效率 3. 温度的变化会引起输出模频的漂移。主要是由于有源层的折射率变化和禁带宽度的变化造成的。 右图：输出功率和温度关系 下图：输出波长随温度的变化 异质结半导体激光器 双异质结激光器（ＤＨ） DH基本结构是将有源层夹在同时具有带宽隙和低折射率的两种半导体材料之间，以便在垂直于结平面的方向（横向）上有效地限制载流子与光子。 4、半导体激光器的基本结构 条形激光器 针对有源区的载流子和光子在结平面方向（测向）的限制而采用条形结构，使激光器的阈值电流大幅度降低，改善了近场与远场、纵模与横模特性，提高了材料的可靠性等。 量子阱半导体激光器 单量子阱 多量子阱 量子阱是指窄带隙超薄层被夹在两个宽带隙势垒薄层之间的状态 垂直腔表面发射激光器（VCSEL） 垂直腔是指激光腔的方向（光子振荡方向）垂直于半导体芯片的衬底，有源层的厚度即为谐振腔长度。 大功率激光二极管阵列 阻碍激光二极管大功率化的一个原因是端面激光区的高光功率密度引起的突发性光学损伤。解决的方法是扩大器件的发光区面积，另一个就是采用阵列技术