扇区擦除时间.ppt

可行的CSP * 可行的CSP 可行的CSP 可行的CSP 可行的CSP 可行的CSP * 64 Mb至2 Gb的并行页面模式GL-S NOR闪存存储器系列 001-97639 所有者：RYSU/EWOO 版本** 技术负责人：WIOB 001-97639 所有者：RYSU/EWOO 版本** 技术负责人：WIOB 64 Mb至2 Gb的并行页面模式GL-S NOR闪存存储器系列 * 001-97639 所有者：RYSU/EWOO （WIOB、HIIN、RHOE、DCN、GHR、GMRL） 版本** 技术负责人：WIOB 64 Mb至2 Gb的并行页面模式GL-S NOR闪存存储器系列 * 001-97639 所有者：RYSU/EWOO 版本** 技术负责人：WIOB 64 Mb至2 Gb的并行页面模式GL-S NOR闪存存储器系列 * 工业级最快的并行页面模式NOR闪存存储器产品系列，用于高性能系统 新产品简介：64 Mb到2 Gb的并行页面模式GL-S NOR闪存存储器系列GL-S = 使用MirrorBit?1技术的赛普拉斯3.0 V，65 nm并行NOR闪存存储器 主题 1 赛普拉斯非易失性存储器单元技术，它拥有两个局部电子存储位置旨在向每个单元提供两个数据位，从而有效地使NOR闪存存储器容量增加一倍 NOR闪存存储器术语 非易失性存储器（NVM） 断电时仍保留数据的存储器 程序存储器 指的是一种低延迟、高带宽的NVM，它用于使能快速执行CPU指令 Flash存储器 更改晶体管传导电流电压的NVM，通过添加或移除电子将存储器单元状态设置为预定义的“1”和“0”实现该操作 NOR闪存存储器 存储器架构得到优化的Flash存储器，允许执行快速、低延迟的随机访问（对于和快速连续地址访问而言） MirrorBit? 赛普拉斯NVM单元技术，它拥有两个局部电子存储位置，旨在向每个单元提供两个数据位，从而有效地使NOR闪存存储器容量 增加一倍 专业术语 其他NOR闪存存储器术语 读带宽 即测量读取存储器数据的速度，单位为字节/秒 扇区 存储位置中带有连续地址的物理模块（例如，256 Mb存储器中的128 KB扇区） 页 指的是扇区中连续存储器位置的子集，它们具有一个公用的 行地址（例如，128 KB扇区中的32 个字节） 页读缓冲区 指的是各锁存的存储器缓冲区，用于存储缓冲区中最后 访问的页，并用于使能快速、低延迟随机读访问时间。 页面模式 使用页读缓冲器来使能更高读带宽的操作模式 编程/擦除 通过这些操作可以分别将NOR闪存存储器单元状态从“1”改为“0”或从“0”改为“1” 写缓冲区 基于SRAM的存储器缓冲区，用于存储单项操作中编程数据的多个字节，从而使能更快的编程操作 扇区擦除 在进行编程前，先要通过该操作来擦除NOR闪存存储器中一个扇区内的所有字节。 芯片擦除 在进行编程前，先要通过该操作来擦除NOR闪存存储器阵列中的所有存储器单元 专业术语 ??? 存储器阵列 页 Y解码器 X解码器 扇区0 第0页 第1页 第n页 扇区0 第0行 第1行 第r行 ??? 扇区1 扇区2 扇区n 页读缓冲区 并行NOR闪存存储器架构 写缓冲区 ??? ??? ??? ??? ??? ??? ??? ??? ??? 高性能系统要求并行页面模式NOR闪存存储器尽快访问程序存储器 并行NOR闪存存储器的市场划分： 这种市场划分上的高性能系统设计人员要求NOR闪存存储器具有最高的读带宽、最短的编程时间和扇区擦除时间。 这种细分市场上的高性能系统设计人员要求使用具有更大温度范围的组件，以便缩小外壳并降低气流。 高性能系统设计人员要求这种最快的并行页面模式NOR闪存存储器具有更大的温度范围 通信 市场展望 高性能系统对最快的并行NOR闪存存储器的要求 汽车信息娱乐系统 （由BMW生产） 汽车级产品 工业自动化 Router（路由器） （由Cisco生产） 工业级控制器 （由Honeywell生产） 赛普拉斯：与其他竞争对手的存储器产品系列相比，我们的NOR闪存、SRAM和NVRAM是业界最佳的 赛普拉斯为嵌入式系统提供最广泛的高性能存储器系列 产品类别 赛普拉斯 竞争对手 功能优势 度量水平 ISSI Micron Toshiba Winbond Macronix Fujitsu 业界最佳的NOR 闪存 并行NOR闪存 ? ? ? ? ? 最大读取带宽最快编程/擦除 102 MBps 串行NOR闪存 ? ? ? ? ? ? 最大读取带宽最快编程/擦除 160 MBps HyperFlash?1 ? ?