2011年电子元器件投资策略(定稿).pptVIP

引言——十年一遇的电子景气 * * 3.2.6. 感性的时代：MEMS与传感器技术 物联网、人机互动的硬件基础是更高性价比的传感器和通信单元 基于MEMS技术的功能器件将得到大量采用 陀螺计、加速度计、地磁感应计、微投影仪 半导体封装企业的潜在业务领域 长电科技布局较早，涉及产品摄像头传感器、地磁传感器件、RFID通信模块 中国半导体传感器市场规模 中国半导体传感器市场结构（2009） 数据来源：CCID 3.3.1. LED：典型的技术驱动产业 LED发光效率不断提升，目前规模量产水平约130lm/W，已经超越其他电光源 海茨定律：LED光通量每10年提高20倍，单位成本每10年下降10倍 LED发光效率演进 海茨定律 资料来源：CREE 3.3.2. LED：照明应用将在2012年走向普及 LED流明成本仍10倍于节能灯等高效光源，但这是一个容易误导的指标。 照明市场启动时机，应该观察照度成本而非流明成本。 LED是单向点光源，可进行非常好的光学设计，从而获得更好的照射效果。 LED发光效率与节能灯接近，但是在室内照明领域LED灯的功率约为节能灯的一半 室外照明领域LED的功率约相当于高压纳灯的1/3左右。 采用照度成本概念，LED灯并不象想象中那样贵，我们估计在差距约为6倍。 成本降低的来源：光效提高，设备效率提高，暴利终结、散热成本降低，中国制造 目前24小时照明场合，LED替代荧光灯的回收期为2-3年 照度成本下降一半将导致照明应用的爆发，预计时间 测算条件：250天，每天10小时（包括商场，办公楼、厂房等诸多领域），考虑时间成本 当前不具有经济性，LED（相对荧光灯）回收期约为6年，超过整灯寿命 普及的条件：如果LED价格下降40%，回收期为3.3年，价格下降50%，回收期为2.7年 成本下降的手段：光效和生产效率的提高，产业利润下降 3.3.3.投资策略：布局LED照明,先下游,再上游 2011年LED的产业环境 芯片：产能投放将引起行业供应过剩，技术引进如火如荼 材料：供应紧张，蓝宝石价格高涨，本身不具备长期的持续性 封装：上游的过度投资将导致价格的下降，启动照明应用预期 下游领域：布局LED照明，分享商业照明的启动 浙江阳光：节能灯龙头，正在准备切入LED照明的 国星光电：LED封装龙头 芯片领域：强者生存，最佳时间在芯片价格下降预期形成后 长城开发：与台系厂商的合作将是强强联合 士兰微： 具有半导体经验的LED厂商，高毛利将具安全垫 乾照光电：关注点在于色温补偿是否采用红黄光芯片，聚光电池是否具有成本优势 3.4.1.功率半导体:低碳经济的基石 功率控制是新能源和节能技术的基础 功率器件包括双极器件、MOSFET器件、IGBT器件、GTO器件。 IGBT材料基础是区熔硅，更高性能器件则采用GaN和SiC等化合物半导体。 2009年全球市场规模约145亿美元，其增速明显领先于整个半导体市场。 主要功率器件的技术分类 全球功率半导体市场（亿美元） 3.4.2.中国厂商：MOSFET积极扩产，IGBT酝酿集体突破 第二代功率器件MOSFET：国内厂商技术逐渐成熟并在逐渐抢占外资份额 士兰微、中环股份、华微电子、东光微电都成功量产，大多有产能扩张计划 第三代功率器件IGBT也将酝酿突破 芯片领域：华微电子、士兰微和中环股份 IGBT突破在时间上面有比较高的一致性，估计海外技术起了关键作用 还有其他厂商也在加入 功率半导体基础材料是区熔硅，区熔硅市场近年来增长加快 中国功率半导体市场规模 中国功率半导体市场结构（2009） 数据来源：CCID 3.4.3.IGBT预计多家厂商将量产 华微电子：量产相对更早的厂商 耐压1200V的产品，主要应用于微波炉等消费电子产品，已量产 士兰微：以器件为基础，目标是模块 主要应用于变频驱动电路，考虑到器件销售金额不大，计划以模块为努力方向 中环股份：携材料技术优势，积极研发中高端产品 对于机车牵引市场表现了更大兴趣 其他可能涉及的厂商：科达股份、东光微电、上海贝岭、台基股份、长电科技等 2009年全球IGBT机车牵引模组市场16亿美元 3.4.4.重点关注中环股份 中环股份：布局新能源，业绩正处于爆发增长通道 太阳能硅片孕育爆发增长潜力 新的拉晶技术和电费等形成10%毛利率优势，预计当前毛利率可达25% 1期产能为110MW，2期（2011年初）预计可以达到600MW，目前产品均价5.3元／瓦 区熔硅国内龙头，预计长期可持续增速为30% 区熔硅是电力电子，尤其是IGBT的基础材料 潜在的应用领域：采用特殊晶体材料的高效率晶硅电池 MOSFET生产线和抛光片预计在2H10跨越保本点，进入盈利状态 预计2010-2011年EPS为0.23元和0.80元。（考虑增发摊