半导体物理-第五章-2012.pptVIP

半导体物理 第五章 非平衡载流子 5.1 非平衡载流子的注入与复合 5.2 非平衡载流子的寿命 5.3 准费米能级 5.4 复合理论 5.5 陷阱效应 5.6 载流子的扩散运动、漂移运动 5.7 连续性方程式 5.1 非平衡载流子的注入与复合 处于热平衡下的半导体，在一定温度下，载流子浓度是一定的。 5.2 非平衡载流子的寿命 上节说明，小注入时，电压的变化就反映了过剩少子浓度的变化。因此，可以利用此实验来观察光照停止后，非平衡少子浓度随时间变化的规律。 5.3 准费米能级 半导体中电子系统处于热平衡状态时，在整个半导体中有统一的费米能级，电子和空穴都用它来描述。 5.4 复合理论 复合的微观机构主要分为两种： 1）直接复合； 2）间接复合。－－体内复合和表面复合 5.5 陷阱效应 当半导体处于平衡态时，无论是施主、受主、复合中心或其他杂质能级上，都具有一定数目的电子。 5.6 载流子的扩散运动 5.7 载流子的漂移运动 爱因斯坦关系式 5.8 连续性方程式 本节进一步讨论当扩散运动和漂移运动同时存在时，少数载流子所遵守的运动方程。 介绍几个例子说明连续性方程的应用 （1）光激发的载流子的衰减 以电子陷阱为例， 少数载流子陷阱 陷阱俘获空穴后，很难俘获电子； 陷阱俘获电子后，很难俘获空穴。 杂质能级和费米能级重合，最有利于陷阱作用。 分析： 更低的能级，基本被电子填满，不能起陷阱作用； 更高的能级，平衡时基本是空着的，适于陷阱的作用，但随着Et的升高，电子被激发到导带的概率增加。 结论： 对电子陷阱来说，费米能级以上的能级，越接近费米能级，陷阱效应 越显著。 从以上分析可知，电子落入陷阱后，基本上不能和空穴直接复合，必须首先被激发到导带，再通过复合中心复合，因此增长了从非平衡态恢复到平衡态的驰豫时间。 P型硅的附加电导衰减 考虑空穴的扩散运动 稳态扩散方程 （1）样品足够厚，非平衡载流子无法到达样品的另一端。 扩散长度 由于扩散，单位时间、单位体积内积累的空穴数为： （2）样品厚度为W，设法在样品另一端将非平衡载流子全部引出。 三维情况下： 探针注入 令 在外加电场的作用下，平衡载流子和非平衡载流子都会漂移，形成漂移电流。 若外加电场为E，则电子的漂移电流密度为： 空穴的漂移电流密度为： 若半导体中非平衡载流子浓度不均匀，同时也存在外加电场的作用，载流子的运动包含扩散运动和漂移运动两部分。 迁移率反映载流子在电场作用下运动难易程度； 扩散系数反映存在浓度梯度时载流子运动的难易程度； 爱因斯坦从理论上找到了扩散系数和迁移率之间的关系。 考虑一块热平衡状态的非均匀n型半导体，其中施主杂质浓度随x增加而下降。 因为电离杂质不能移动，载流子的扩散运动有使载流子均匀分布的趋势，这使半导体内部不再处处保持电中性。 平衡条件下，不存在宏观电流，因此电场的方向必然是反抗扩散电流，使平衡时电子的总电流和空穴的总电流分别为零，即： N型非均匀半导体中 电子的扩散和漂移 爱因斯坦关系式 总电流密度 载流子的漂移和扩散 扩散积累的空穴为： 漂移积累的空穴为： * * 半导体的热平衡状态是相对的。如果对半导体施加外界作用，破坏了热平衡状态，称为非平衡状态。比平衡状态多出来的载流子，称为非平衡载流子，或者过剩载流子。 如在一定温度下，无光照，对n型半导体有 用适当波长的光照射半导体时，只要光子的能量大于半导体的禁带宽度，那么光子就能把价带电子激发到导带上去，产生电子－－空穴对，使导带电子和价带空穴比平衡状态多。 光注入 在一般情况下，注入的非平衡载流子浓度比平衡时的多子浓度小得多。对n型半导体， 如在1欧姆.厘米的n型硅中， 若注入非平衡载流子 小注入条件 非平衡少子浓度变化极大 小注入条件 光注入引起附加光电导 光注入必然导致半导体电导率增大，即引起附加电导率： 半导体上压降： 产生过剩少子的两种方式：光注入和电注入。 值得注意的是，热平衡并不是一种绝对静止的状态。在半导体中，任何时候电子和空穴总是不断地产生和复合，在热平衡状态，产生和复合处于动态平衡。 热平衡 光照 非平衡态 热平衡 光照结束 当光照结束后，注入的非平衡载流子开始复合，即原来激发到导带的电子又回到价带，电子和空穴成对地开始消失。最后，载流子浓度恢复到平衡态。 －－非平衡载流子的复合过程。 实验表明，光照结束后，过剩少子浓度按 指数规律减少，说明非平衡载流子并不是 立刻消失，而是有一定的存在时间。 非平衡载流子寿命：