射频电路设计第7章有源射频元件(厦).pptVIP

7．3．2 双极结晶体管的AC参量的测量 AC参量的测量取决于所涉及的模型和所要求的细节，同样尽量引用大信号Ebers-Moll或Gummel-Poon电路元件。在此，集中于如图7.29所示的小信号、低频电路模型。 这个模型与表示在图7．14的混合π模型有联系，但没有输出反馈(h12=0）和电阻影响 r B ≈ r E ≈r C ≈ 0 在正向激活中的Q点，我们可导出与式(7．15)—式(7．20）相一致的以下参量： 跨导： 输入电容： 输出电阻： 输出电导： 由于存在Early效应，集电极电流由I c＝g m I B （ 1+VCE/VAN）给出。 选定了正向激活模式，Cπ代表扩散电容，并有基极—发射极二极管的正向渡越时间τbe。 7．3有源器件的测量 测量方案将按以下步骤进行： 1、●给定结温度下的跨导 2、●I电流增益 3、●输入电阻 是在特定的角频率下记录的，由此可求出电容Cπ 。 我们可更简洁地求出过渡频率f T ，从而求出Cπ，而不是用记录输入阻抗来间接地确定Cπ。 注意到在过渡频率f T 下，AC电流增益等于1： 4、●输出电阻 5、●输入阻抗 由β1 导出： 得 用网络分析仪，进行频率扫描，直到基极电流等于极电及电流，这样得到的过渡频率代入上式便可求出Cπ 7．3有源器件的测量 7．3有源器件的测量 上例可应用于低和中等频率，但当频率达到1GHz以上时，情况变得更为复杂。此时不能忽略Miller效应，必须求助于S参量的测量。见下例： 7．3有源器件的测量 此例说明：一旦频率超过100MHz，必须考虑反馈效应。 许多制造商只凭借S参量特性。利用适当的测试固定架或夹具并依靠网络分析仪，测量在一定偏置条件和工作频率下的S参量，这样的处理方法大为简化了BJT特性的确定。 7．3有源器件的测量 7．3．3 场效应晶体管参量的测量 由于GaAs MESFET在许多射频电路中有突出表现，在此对它的参量提取做较为密切的考察。对于HMET，因为其电路模型相同，所以可以同时处理这两种情况。第6章中已导出过在线性区的漏极电流的基本方程如下： MESFET和HMET的区别在于阈电压的定义： 对于饱和区： 利用式(7．55)，由此作出漏极电流的平方根对外加栅极—源极电压VGS的变化曲线，就可容易地求出传导参量β和阈电压VT0。 7．3有源器件的测量 为得出传导参量β和阈电压VT0．一个MESFET的测量装置示于图7．31中。 阈电压是被间接确定的，通过设置两个不同的栅极—源极电压VGS1和VGS2，而保持漏极—源电压不变，即 ，使晶体管工作于饱和区。由两次测量的结果，得出： 因为假定沟道长度调制效应可忽略；因此所测量的电流接近于由式(7．55)给出的饱和漏极电流 代入上式求得β 如果选取 则可简化： 7．3有源器件的测量 使用合适的测试固定架或夹具，并依靠矢量电压表或网络分析仪，记录与频率和偏置有关的4个S参量，这种测量极大地简化了对待测器件(DUT)的特性确定。 为了对基本测量过程(也是处于网络分析仪的心脏部分)获得有价值的通彻理解。首先研究矢量电压表测量方法。 7．4用散射参量表征器件特性 它的一般描述见图7．32所示，此装置需要有’个射频信号发生器、两个双向定向耦合器、晶体管偏置网络、实物晶体管固定支架和可产生短路和通路条件的配套校正元件。 图中的双向定向耦合器的功能是把人射波与反射波隔离开。 实际的信号传播路径可在图7．32中观察到。这里矢量电压表用信道A和信道B分别记录来自有源器件输入端的入射和反射功率。取其电压幅值之比得出∣S11∣。为了记录相位角，重要的是得到一个合适的相位参考点。由于此原因，去掉DUT而引入短路，以得到相位参考点。为保证相等的路径长度(即从信号源到信道4和从短路端到信道B)，均一传输线延伸器来完成必要的调节以达到零相位差。 同一测试装置也可被用来求找正向增益S21。用开关把信道B转接到位于DUT输出一侧处的定向耦合器，这样得到输出与输入电压之比，或∣ S21 ∣。此时相位调整要求用一段通路元件来取代DUT，然后再次用传输线延伸器使信号路径相等。其余两个S参量，即S22和S12可通过使DUT夹具倒换，并转接偏置网络来进行测量。正如图7．32示意的，S参量的测量与设置适当的偏置(或Q点)和信号源的频率有关。其结果可生成一大族范围宽广的参量曲线。 7．4用散射参量表征器件特性 双向定向耦合器有两个品质因数，即耦合因数cf和方向性因数df 表示在主端门1或2(i=1，2）的功率对副端口3或