认证考试第6章 数字集成电路基本单元与版图9----课堂练习.docVIP

1、写出下列英文缩写的全称：IC，MOS，VLSI，SOC，DRC，ERC，LVS，LPE 2、按规模划分，集成电路的发展已经历了哪几代？ 3、解释欧姆型接触和肖特基型接触。 4、已知某材料的方块电阻值为50，最大电流密度为1mA/μm，电阻尺寸如图1所示，试求该电阻的阻值和允许流过的最大电流。 图1 5. 图10.41中（a）给出了各图形所代表的层次，请提取出（b）（c）对应的电路原理图。 --------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- IC：integrated circuit；MOS：metal oxide semiconductor；VLSI：very large scale integration；SOC：system on chip；DRC：design rule check；ERC：electrical rule check；LVS：layout versus schematic；LPE：layout parameter extraction --------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- --------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 按规模，集成电路的发展已经经历了：SSI、MSI、LSI、VLSI、ULSI及GSI。 --------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- --------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 半导体表面制作了金属层后，根据金属的种类及半导体掺杂浓度的不同，可形成欧姆型接触或肖特基型接触。 如果掺杂浓度比较低，金属和半导体结合面形成肖特基型接触。 如果掺杂浓度足够高，金属和半导体结合面形成欧姆型接触。 --------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- --------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 根据电阻在电路中的连接方法，有两种答案： （1）若以10μm边为电流流过方向，则电阻R＝50×10/20＝25Ω，允许流过的最大电流Imax＝1 mA/μm×20μm＝20mA （2）若以20μm边为电流流过方向，则电阻R＝50×20/10＝100Ω，允许流过的最大电流Imax＝1 mA/μm×10μm＝10mA --------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- --------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 参考答案：b图是2输入与非门，c图是3输入或非门。 ---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------