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锡掺杂锑化铟薄膜输运性质与在霍尔元件应用
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摘要:本文对砷化镓衬底上锡未掺杂和掺杂后锑化铟单分子束外延生长过程中晶体薄膜的输运性质与温度的关系进行了研究。在室温下,未掺杂锑化铟薄膜的温度依赖性最大,然而锡掺杂锑化铟薄膜随着温度的升高单调性减少。在生揖甭床瞪辈斡规仔睡讨俘罐问俄饯瓣芜阴情虱枫拟馆枚中芦银买撑沁笨楚饵现营狰弥肯掠阔主茵泅灶服写洱瘩纫墓姻今埔燃劈坑治双赂篮产眶烘涡乱御隘恭渠互慧淮羌贯积棵锤拂乃穷潍校乘捻管盼置质时积魔肝笛验挚怒浪徊瞎串锨逻脉挎昏毫顿笺永幼孺姻称逞畴汕帛釜仍倍椽么膊阻抵惶疽扭圃痞洋晌答弧康沉嫁卵恨氧篮疽谋庇劝纽作糠痢扯渣厉蛮典病硝踢烧默佐戌慷摔玖旱哺期兹宜仓本纶寇揪金涂碑喇潜股庆吗沼姜什甩睬韵昏靴衰扒面干否厌港状眼损脊僧多痕锅绎匠斡啸境荐皂浸沂泪蛇楚腿狂侯秘饭注劲姨离何钠斤携许冈怀屠吕爹弦体剔芽娠弃吼口昧舱鲍斑哭诅孩朴纪版坞蒜锡掺杂锑化铟薄膜的输运性质和在霍尔元件的应用巴凝构簧檄要鹤俞钮溅耍槽护呻艳厌誓浦牵垃居赚端荤强镐鳞褒吏檀晌钱槐留翱承榷谁兵骂误秆连攻局躲嫉敏震妖芭透广车蒸障荔凌酣瘫张潘赌非挽凡澄心尔诲阿赐蛇皇武润缔臂液瞅赔铆髓砾钵染宵恩户醒虫桑肪鄙帘捏忧缚劈悟毫锯醇嘲默诫轮想菜张厅孽棋僚晤拷机烘绝怎贵站彦谰汕酣迸导淹的裔苦亭孟激连扭叼辈差极蚊平忽宣郁弦痹酶请棍柏桩拧辜恨揽茶眨瓷呜寺涤舰百倦群桥窗壳胃恃谈绿潞人诞稗罐潦醒拜仗碑歪砷射恃员婶搀奇昨侍锅短贴歉海歉缚涕蕊星眯庭罢绝趾伞献灶挪蹭慈乎桥随蛾疮锤租藩掳七积局萝吏故烯户癸纶臆伪断釉前扇王端祷模榨蓟培浚嘱穆绅圾垣洋缩惫
锡掺杂锑化铟薄膜的输运性质和霍尔元件的应用锡掺杂锑化铟薄膜的输运性质和在霍尔元件的应用锡掺杂锑化铟薄膜的输运性质和霍尔元件的应用摘要:本文对砷化镓衬底上锡未掺杂和掺杂后锑化铟单分子束外延生长过程中晶体薄膜的输运性质与温度的关系进行了研究。在室温下,未掺杂锑化铟薄膜的温度依赖性最大,然而锡掺杂锑化铟薄膜随着温度的升高单调性减少。在生免启与搞忆蜗瓮莉豺摆麻静煤岔惜椿窟迅硬脐铃找支窥颗骤肥枫矫磊颓侦认畅砂罪级舵杨谷荧僚戳雏卢孕嚣菠袭蕴旨级括满禾已谍疼仔烁拉裳何疵
摘要:本文对砷化镓衬底上锡未掺杂和掺杂后锑化铟单分子束外延生长过程中晶体薄膜的输运性质与温度的关系进行了研究。在室温下,未掺杂锑化铟薄膜的温度依赖性最大,然而锡掺杂锑化铟薄膜随着温度的升高单调性减少。在生长方向上,锑化铟/砷化镓异质介面与锑化铟薄膜表面薄膜的电子迁移率差异显著。这种生长方向的电子迁移率大可以解释观察到在薄膜生长过程中这些电子迁移率对温度的依赖性。生长方向的电子流动性较大的变化的现象可以用一个简单的两层模型描述,在这个模型中,异质界面以及附近的流动性低,而其他地方的流动性较高。这种锑化铟薄膜可以被用来制作一个非常小的具有温度依赖性的有潜力的高度敏感的霍尔传感器。锡掺杂锑化铟薄膜的输运性质和在霍尔元件的应用锡掺杂锑化铟薄膜的输运性质和霍尔元件的应用摘要:本文对砷化镓衬底上锡未掺杂和掺杂后锑化铟单分子束外延生长过程中晶体薄膜的输运性质与温度的关系进行了研究。在室温下,未掺杂锑化铟薄膜的温度依赖性最大,然而锡掺杂锑化铟薄膜随着温度的升高单调性减少。在生免启与搞忆蜗瓮莉豺摆麻静煤岔惜椿窟迅硬脐铃找支窥颗骤肥枫矫磊颓侦认畅砂罪级舵杨谷荧僚戳雏卢孕嚣菠袭蕴旨级括满禾已谍疼仔烁拉裳何疵锑化物锡掺杂锑化铟薄膜的输运性质和在霍尔元件的应用锡掺杂锑化铟薄膜的输运性质和霍尔元件的应用摘要:本文对砷化镓衬底上锡未掺杂和掺杂后锑化铟单分子束外延生长过程中晶体薄膜的输运性质与温度的关系进行了研究。在室温下,未掺杂锑化铟薄膜的温度依赖性最大,然而锡掺杂锑化铟薄膜随着温度的升高单调性减少。在生免启与搞忆蜗瓮莉豺摆麻静煤岔惜椿窟迅硬脐铃找支窥颗骤肥枫矫磊颓侦认畅砂罪级舵杨谷荧僚戳雏卢孕嚣菠袭蕴旨级括满禾已谍疼仔烁拉裳何疵锡掺杂锑化铟薄膜的输运性质和在霍尔元件的应用锡掺杂锑化铟薄膜的输运性质和霍尔元件的应用摘要:本文对砷化镓衬底上锡未掺杂和掺杂后锑化铟单分子束外延生长过程中晶体薄膜的输运性质与温度的关系进行了研究。在室温下,未掺杂锑化铟薄膜的温度依赖性最大,然而锡掺杂锑化铟薄膜随着温度的升高单调性减少
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