ni4h-sic肖特基势垒二极管研制 development of ni schottky barrier diode on 4 h-sic.pdfVIP

第28卷第1期 固体电子学研究与进展 V01．28，No．1 2008年3月 RESEARCHPROGRESS0FSSE Mar．，2008 Ni／4H—SiC肖特基势垒二极管研制 张发生h2” 李欣然1 (1湖南大学电气与信息工程学院，长沙，410082)(2中南林业科技大学电子与信息工程学院，长沙，410004) 2007—04—16收稿．2007—05—28收改稿 摘要：采用微电子平面工艺，高真空电子束热蒸发金属Ni分别作肖特基接触和欧姆接触，二级场限环终端表面 保护，研制出Ni／4H—SiC肖特基势垒二极管(SBD)。I-V特性测量说明，Ni／4H—SiCSBD有较好的整流特性，热电子 500 发射是其主要的运输机理。反向击穿电压达1 V，理想因子为1．2，肖特基势垒高度为0．92eV。 关键词：碳化硅；肖特基势垒二极管；电特性 中图分类号：TN31