pzt纳米铁电薄膜的生长行为和介电性能及微结构 growth behavior, dielectric property and microstructure of pzt nanofilms.pdfVIP

第27卷第5期 电子照微学报 Vol一27，No．5 2008年10月 ofChineseElectron 2008。10 Journal MicroscopySociety 变囊绩号：1000-6281(2008)05-0346-06 PZT纳米铁电薄膜的生长行为和介电性能及微结构 朱信华，朱健民，周舜华，刘治图，闵乃本 (素京天学物理系鏊终微鳍魏耪鹱篱家重点实验囊。汪苏毒京210093) 纳来铁电薄膜(厚度25衄)。利用电化学方法在多孔飘化铝模版孔道内(孔径25m)生长Au纳米线，作为底电檄 电藩貘缝鸫数蜜，晶彝呈镌采祆，串鹚足专为22勰。制羲TEM霉{蠹实PZT魏拳铗电薄貘毒觚链皋线圭接接慧，絮 们之间的券面呈现一定程度的警棘；部分Au蚋来线顶端出现分枝最竟溅象。介电谱袁嚼黼蚺米轶电薄膜的介 电常数在低频区域(频率小于loHz)从760迅速下降刘100，然后基本保持在100，直至测量撅串升高到106Hz。低