si基gan hemt低温欧姆接触工艺研究 research on low temperature ohmic contact technology of si-based gan hemts.pdfVIP

第33卷第1期 固体电子学研究与进展 V01．33。No．1 2013年2月 OF Feb．，2013 SSE RESEARCH＆PROGRESS Si基GaNHEMT低温欧姆接触工艺研究。 王 金“孔 岑 周建军 倪金玉 陈堂胜 刘 涛 (南京电子器件研究所，微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室，南京，210016) 2012—12．03收稿，2012—12—27收改稿 摘要：研究了在si基GaN外延材料上实现低温欧姆接触的技术途径。研究了外延层的刻蚀深度、合金温度以及 nm) 不同金属体系对接触特性的影响，发现外延层刻蚀