第3章 场效应管和其基本放大电路.ppt

 第3章 场效应管及其基本电路;第九讲 场效应管及其放大电路;一、场效应管(Field-Effect Transistors);一、JFET（以N沟道为例）;栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用;漏-源电压对漏极电流的影响 ;g-s电压控制d-s的等效电阻;夹断电压;转移特性;栅极(Gate)，源极(Source)，漏极(Drain)。 在JFET中，源极和漏极是可以互换的。;2、MOSFET (N沟道增强型);MOSFET(N沟道增强型);增强型MOS管uDS对iD的影响;MOSFET(N沟道耗尽型);MOS管的特性;主要参数：一、直流参数，二、交流参数，三、极限参数 一、夹断/开启电压UGS(off)/UGS(th)，饱和漏极电流IDSS，直流输入电阻RGS(DC) 二、低频跨导gm，极间电容Cgs，Cgd， Cds 三、最大漏极电流IDM ，击穿电压U(BR)DS，U(BR)GS，最大耗散功率PDM;3、场效应管工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性;二、场效应管静态工作点的设置方法;2．自给偏压电路;3．分压式偏置???路;三、场效应管放大电路的动态分析;跨导gm;跨导gm;2.基本共源放大电路的动态分析;3.基本共漏放大电路的动态分析;基本共漏放大电路输出电阻的分析;四、复合管;讨论一判断下列各图是否能组成复合管;Ri=? Ro=?;Rg3的作用; 二、输出特性曲线 输出特性曲线表达以UGS为参变量时iD与uDS的关系。如图3―3(b)所示，根据特性曲线的各部分特征，我们将其分为四个区域： 1.恒流区 恒流区相当于双极型晶体管的放大区。其主要特征为： ?(1)当UGSoffUGS0时，uGS变化，曲线平移，iD与uGS符合平方律关系， uGS对iD的控制能力很强。 ; (2)UGS固定，uDS增大，iD增大极小。说明在恒流区，uDS对iD的控制能力很弱。这是因为，当uDS较大时，UDG增大，靠近漏区的PN结局部变厚，当 |uDS-uGS||UGSoff| (3―3) ?时，沟道在漏极附近被局部夹断(称为预夹断)，如图3―4(b)所示。此后， uDS再增大，电压主要降到局部夹断区，而对整个沟道的导电能力影响不大。所以uDS的变化对iD影响很小。 ; 2. 可变电阻区 当uDS很小，|uDS-uGS||UGSoff|时，即预夹断前(如图3―4(a)所示)，uDS的变化直接影响整个沟道的电场强度，从而影响iD的大小。所以在此区域，随着uDS的增大， iD增大很快。 与双极型晶体管不同，在JFET中，栅源电压uGS对iD上升的斜率影响较大，随着|UGS|增大，曲线斜率变小，说明JFET的输出电阻 变大。如图3--3(b)所示 ; 图3―4 uDS对导电沟道的影响; 3. 截止区 当|UGS||UGSoff|时，沟道被全部夹断，iD=0，故此区为截止区。若利用JFET作为开关，则工作在截止区，即相当于开关打开。 4.击穿区 随着uDS增大，靠近漏区的PN结反偏电压uDG(=uDS-uGS)也随之增大。 ;3―2 绝缘栅场效应管(IGFET) ;图3―5绝缘栅(金属-氧化物-半导体)场效应管结构示意图 (a)立体图；(b)剖面图 ; 3―2―2N沟道增强型MOSFET(EnhancementNMOSFET) 一、导电沟道的形成及工作原理 如图3―6所示，若将源极与衬底相连并接地，在栅极和源极之间加正压UGS，在漏极与源极之间施加正压UDS，我们来观察uGS变化时管子的工作情况。 ;图3―6N沟道增强型MOS场效应管的沟道形成及符号;图3―6N沟道增强型MOS场效应管的沟道形成及符号; 二、转移特性 N沟道增强型MOSFET的转移特性如图3―7所示。其主要特点为： (1)当uGSUGSth时，iD=0。 (2)当uGS UGSth时， iD 0，uGS越大， iD也随之增大，二者符合平方律关