多晶硅薄膜晶体管器件退化机制研究进展 on degradation models and mechanisms in poly-silicon thin film transistors.pdfVIP

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2017-08-21 发布于上海
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多晶硅薄膜晶体管器件退化机制研究进展 on degradation models and mechanisms in poly-silicon thin film transistors.pdf

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多晶硅薄膜晶体管器件退化机制研究进展 on degradation models and mechanisms in poly-silicon thin film transistors

第29卷第3期电子器件 V01．29NO．3 alin雠J删r皿IdⅡ扰t∞Dwi脯 2006年9月 sep．2006 m De{蝴M0delsaIId XUE M抽，WANG M”g叮缸”g (Dk肚o，Ml肿妇加曲s，＆唧概哳硼哺p。S幽出0l‘J洳g础215021，o妇) Abs衄时；Several∞mmon weresummarizedfromsome research degradationphenom肌a recent口pical tKnfilm incIud∞鸵lf_ workonthe transistors，which reliabilityoflow_temperatureprocessedpoly-silicon carriersand bias mechaⅡsrnsandrYmdels heating，hot negativegate t哪peraturebstabinty．【)egradation as oftheir onvariousdevice and stresscon— are wellasc。ndusionsidluences paramet盯s presented typical arerrladeasweU ditions．Ⅳ【0redetaileddiscu5sions0Il andhotca耐erseffects as se水heating introduced betweenthem．The underreversemodeareals0 Moreover，hotcarriers recoveryphenomena under stressand insome structmeddeVicesarealso dy枷c degradationspecial presented degradation carriers degradation}hot Key咖rds：10妒t锄peratureprocessedp01rsiliconn叮；reliability；self-heating degradatioIL 玎￡AOC：7艏OG；736叮多晶硅薄膜晶体管器件退化机制研究进展薛敏，王明湘 (苏州大学电子信息学院微电子系，扛苏苏州215021) 摘要：结台近几年来国际上对于低温多晶硅薄膜晶体管器件可靠性开展的一些有代表性的研