多铁性bifeo3srtio3多层膜的透射电镜研究 transmission electron microscopic study of bifeo3srtio3 multiferroic multilayers.pdfVIP

电子显微学报 VoL 第29卷第4期 29．No．4 2010年8月 ofChineseElectron 2010旬8 Journal Microscopy Society 文章编号：1000_6281(2010)04-0338-06 唐兆俊1，王君伟2，朱银莲1，唐为华2，马秀良h (1．中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室，辽宁沈阳110016； 2．浙江理工大学光电材料与器件中心，浙江杭州310018) 摘要：本文利用透射电子显微镜(TEM)研究了由磁控溅射法生长的多铁性BiFeO，／SrTiO，多层膜的微观结构。 长方向沿基体c轴。随着薄膜厚度的增加，即多层膜周期的加长，层与层之间界面不再平直。原子序数z衬度成 像，EDS线扫以及各种元素的能量过滤综合分析确定了多层膜的成分变化特征。 关键词：多铁性；多层膜；界面；透射电子显微术 中图分类号：TGll5．21+5．3；TB383；TGl42．33文献标识码：A 多铁(multiferroic)材料是指同一体系中同时具强了BiFeO，的铁电性能。在报道的人工合成的 有铁电、铁磁等多种铁性(ferroic)的材料。由于不 BiFeO。／SrTiO，超晶格中，实验发现随着超点阵周期 同铁性之间的耦合而导致磁电效应(magnetoelectric的增加，其漏电电流大幅度降低，比单纯的BiFeO， effect)的出现。该效应显示出“乘积效应”，在单相 薄膜的漏电电流值小了两个数量级以上，其铁电性 及两相复合多铁材料中都可以实现¨一1。在众多单 能的改善归结于界面外延应变的增强…J2|。以前 相多铁性材料中，BiFeO，是目前已知少数同时具有的研究主要集中在BiFeO，／SrTiO，超晶格各项性能 室温以上铁电转变居里温度(Tc=850℃)和反铁磁 方面，对其微观结构及界面缺陷的研究知之甚少。 转变尼尔温度(T。=370oC)的材料之一¨o。由于在具体应用成为现实以前，多铁材料的关键性能指 其潜在的应用背景使BiFeO，成为人们关注的热点。标必须得到优化，而结构及微结构特征对理解材料 但是，其漏电电流过大限制了其实际应用的前景。 中的电学、磁学和结构间的交互作用具有举足轻重 人们曾尝试通过掺杂的方式来减小BiFeO，漏电电的意义。本文即是在传统的衍衬分析基础上，结合 z衬度像和EDS分析等手段，对磁控溅射生长的 流，改善其铁电性能。例如用Ti4+和cr”替代 BiFeO，／SrTiO，多层膜的微结构进行分析，以期为多 Fe3+‘4，51，或用La3+和Nd3+替代Bi3+【6’71。通常情 况下，对较薄的BiFeO，薄膜，由于漏电电流的存在功能微型器件的制备与设计提供原子尺度的数据。 导致其铁电性能不明显，通过增加薄膜厚度可提升 1 实验方法 铁电性能。有文献报道界面的应力可以增强 BiFeO，的铁电性能¨o，但薄膜厚度的增大又会导致 本文研究的材料是利用磁控溅射方法在SrTiO， 界面应力的释放，所以为了同时满足低漏电电流和 单晶衬底上交替生长BiFeO，和SrTiO，的薄膜器件。 较大的界面应力，人工超点阵或者多层膜可能是比 其制备条件：工作气压2．5Pa，基体温度700℃，溅 较理想的一种选择。人工超点阵(多层膜)由于可 射功率150