非晶sio2纳米线的合成及其显微结构和光学性质的研究 synthesis and photoluminescence of amorphous sio2 nanowires.pdfVIP

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2017-08-21 发布于上海
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非晶sio2纳米线的合成及其显微结构和光学性质的研究 synthesis and photoluminescence of amorphous sio2 nanowires.pdf

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非晶sio2纳米线的合成及其显微结构和光学性质的研究 synthesis and photoluminescence of amorphous sio2 nanowires

第27卷第2期电子显微学报 V01．27，No．2 2008年4月 JournalofChineseElectron 2008．04 MicroscopySociety 文章编号：1000—6281(2008)02—0102．06 非晶Si02纳米线的合成及其显微结构。 ’和光学性质的研究秦艳，张晓娜。，郑坤，韩晓东。，张泽 (北京工业大学固体微结构与性能研究所，北京100022) ‘ nm处存在一个较分析结果表明这些纳米线为非晶Si02纳米线。光致发光(PL)谱测试结果显示纳米线在波长550 随着微纳米技术的发展和集成光学技术的进可控的高温炉中进行，具体实验装置可参考文献步，合成纳米尺度的发光。材料以满足纳米光电子器件的需要变得尤为重要。从Canham…观测到多孔埚内。选用Si片做衬底，将硅片倾斜放人坩埚内，硅的发光现象以来，多孑L硅、硅纳米线、氧化硅纳米再将坩埚置于石墨加热体上。实验过程中，对反应线及非晶Si／SiO。薄膜等乜。1硅基材料的光致发光腔抽真空到10Pa左右，然后充入Ar气至0．27× 性质得到广泛的研究。其中氧化硅纳米线作为一种 10sPa，加热时保持稳定的温度增长速率，温度升高光致荧光材料，在高分辨近场光学扫描显微镜、低维到约950。C，保温15min。当反应完成自然冷却到度的光婆导、纳米光电子器件等方面具有潜在的应室温后，在衬底及坩埚内壁上沉积了大量白色絮状用价值怕1。物。。㈨龛曼多笆焦氅脊譬．望烹冀．4曼．孝．蛩o，：鬯光譬竺利用场发射高分辨扫描电镜( 4LoEJ) 姜：亭咚_璧篙篾二二热蒸笆篓童氅‘学气侧4：1合譬型在≥品鬟裙茗釜苄畚磊；羹蒺磊SE积M荔的形貌650；0用F 一“…5”。一。“…。”…～…”、””…～”” 法旧。等。wu等¨刮加热SiO，和活性炭在13500C得 2010F nm。lio 透射电子显微镜(TEM)JEoL2010型及JEOL 到了直径分布在60 nm的非晶SiO，纳米型在200 线，并研究了纳米线的发光特性；Zhu等…3加氛石英 kV的操作电压下对沉积物的显微结构进行了表征；利用TEM上配备的能谱仪(EDs)对样品片上的SiC和CO粉末，在l500。C制得了氧化硅纳进行成分分析；电子能量㈣(EELS)的获取在场米线，另外，还有使用其它催化剂如：Au、Sn、Ga 等‘12～141来合成非晶氧化硅纳米线。本文使用热蒸发射透射电镜JEOL2010F型上完成；光致发光(PL)