负压引起高压驱动芯片电路失效的解决方案 solutions to high voltage driving ic failure caused by minus voltage.pdfVIP

电子科技2008年第21卷第5期 负压引起高压驱动芯片电路失效的解决方案 褚卫东，李海华 (上海交通大学微纳科学技术研究院，上海200030) 摘要介绍了高压驱动芯片的内部原理；分析了感性负载电路中负压产生的原因和引起高压驱动芯片误 触发而使产品失效的机理；列举了两种通用的解决方法，并提出了另一种更为有效的方案，该方案已经在实际 产品的电路中得到应用，取得了很好的效果。 关键词 自举电路；感性负载；高压驱动芯片 中图分类号TNl4文献标识码A 文章编号1007—7820(2008)05—001—04 Solutionsto ICFailureCausedMinus HigllVoltageDriving by Voltage Chu Haihua Weidong，Li MicroNano—science Jiao (Inst．of Technology，ShanghaiTong 200030，China) University，Shanghai AbstractThebasic circuitof ICisintroduced．Theoftheminusvolt— intemal hishvoltagedriving reason in thefalse ICwhich are inductiveloadcircuitand of leadstofailure age highvoltage analyzed．A— triggering withthetwocommonsolutions neweffectivesolutionis whichhasbeen into long available，a presented put usewitlldesirableresults． practical Keywords circuit；inductiveload；high IC bootstrap voltagedriving 随着高压半导体技术和芯片技术的发展，许多 提出一种简单有效的解决方案，并在实际应用中得 功率半导体公司推出了功率MOSFET或IGBT驱动到有效验证。 芯片。这些芯片把驱动高压侧和低压侧功率管的绝 1 高压驱动芯片的内部原理 大部分功能集成在一个封装内，外接很少的分立元 件，就能提供很快的驱动波形，使电路的工作频率 图1为一个典型高压驱动芯片IR2113¨o的内部 达到几百千赫兹，且其本身功耗很小。如果这些芯 框图。它是一个半桥驱动芯片，同时驱动一个半桥 片内部高压侧的电路采用自举电路供电，那么整个 的上下两个桥臂的功率管。芯片内部承受高压部分 功率电路(半桥一2个MOSFET／IGBT，H桥一4个 的电路放置在一个耐高压的隔离巢内，高压巢和低 MOSFET／IGBT或三相桥一6个MOSFET／IGBT)的驱 压侧电路之间能承受600V以上的电压，高低电压 动供电只用一个低压