03 半导体中载流子统计分布.pptVIP

半 导 体 物 理(Semic;第三章 半导体中载流子的统计分;什么是载流子？半导体中能够参与;引 言一、热 平 衡在温度高;二、热平衡时载流子的浓度 半导;§3.1 允许的量子态按能量的;一、理想晶体k空间中量子态的分;2. 三维晶体设晶体的边长为L;每一个k点占据的小立方的体积为;二、半导体导带底和价带顶附近的;圣样追兄旧嚷牵抢掘呆锗肮逊俭玩;2. 实际半导体材料的状态密度;令 ;§3.2 热平衡态时电子在量;1、费米分布函数和费米能级服从;费米能级的物理意义：化学势当系;费米函数的特性T=0:f (E;能量E比EF高5k0T的量子态;费米分布函数中，若E-EF;半导体中常见的是费米能级EF位;复习与总结 热平衡的概念——温;3、半导体中导带电子和价带空穴;引入中间变量：则：由于玻耳兹曼;同理可以得到价带空穴浓度：其中;将n0和p0相乘，代入k0和h;平衡态非简并半导体n0p0积与;未知量：no、p0、EF为了求;§3.3 本征半导体的载流子浓;上式的第二项与温度和材料有关。;总结：任何平衡态非简并半导体载;基本上是一条直线，直线斜率= ;本征载流子浓度ni/cm-3 ;§3.4 杂质半导体的载流子;一、电子占据施主能级的几率 ;(2) 电离杂质的浓度nD+和;如果ED-EFk0T(EF;g(E) ;根据上式求EF比较困难。在不同;1、低温杂质离化区特征：本征激;(1) 低温弱电离区：特征是温;弱电离区 EF ~ T 的关系;n0～T 的关系： ;本征激发仍略去，但随温度T增加;锅乖枯劣尖下红傣萧耕流谋拄乃淤;(3)强电离区（饱和电离区）：;强、弱电离的区分：膏闹睬梆偶枣;判定施主杂质达到饱和电离的方法;决定半导体杂质饱和电离(nD+;电中性条件：n0=ND+p0特;n0、p0的另一种示方法：电中;讨论:显然：n0p0，这时;报搬瘦尹席曼增岿咋瞻帅手杏绚霄;3、高温本征激发区特征：温度较;1、温度确定后，保持半导体为n;一般的器件要求半导体工作在饱和;例 题硅中掺入1016cm-3;5、总结ECEVEDEin0=;下图显示当施主浓度ND＝101;根据上式求EF比较困难。在不同;(1) 低温弱电离区 p0=N;(3) 过渡区： (4) ;ECEVEDEip0=pA-p;考虑强电离、室温，EF~N 费;§3.5 补偿情形下的载流子;§3.5 补偿情形下的载流子;§3.5 补偿情形下的载流子;§3.5 补偿情??下的载流子;§3.5 补偿情形下的载流子;§3.5 补偿情形下的载流子;已知Si中只含一种施主杂质，其;§3.6 简并半导体 单一杂;2、简并半导体的载流子浓度令费;下图是费米-狄拉克积分F1/2;3、简并化条件——简并与非简并;两种分布函数得到的n0/Nc与;3、简并化条件——临界掺杂浓度;3、简并化条件——临界浓度的估;3、简并化条件——临界浓度的估;4、简并时杂质的电离 简并时杂;本章总结温度一定的热平衡态载流;设Si晶体中导带底附近电子的纵;制造晶体管一般是在高杂质浓度的