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微机技术和仪器系统设计ch4
微机技术与仪器系统设计;第四章 半导体存储器;4.1 概述;高;一、存储器分类;2．按在计算机中的作用分类
主存储器
（简称为主存）
辅助存储器
（简称为辅存）;随机存储器RAM （Random Access Memory）;;MOSRAM;三、内存储器的指标;4 ? 4 存储矩阵结构示意图 ;;;例： NMOS静态存储单元
; 1. 存储矩阵;2．地址译码器——将寄存器地址对应的二进制数译成有效的行选信号和列选信号，从而选中该存储单元。
;SRAM芯片简介(6116);RAM的容量扩展;2．字扩展;存储器的扩展
存储芯片片选线的作用;动态 RAM 基本单元电路; 3. 动态 RAM 和静态 RAM 的比较;高集成度DRAM;4.3 只读存储器;;可擦除的可编程只读存储器; 擦除：用紫外线或X射线擦除。需20~30分钟。;顶部开有一个圆形的石英窗口，用于紫外线透过擦除原有信息
一般使用专门的编程器（烧写器）编程
编程后，应该贴上不透光封条
出厂未编程前，每个基本存储单元都是信息 “1”
编程就是将某些单元写入信息0;集成 EPROM 芯片 ;惺畅包筹盖欺赡梳蓬蕉劝溉筐桩行倒锗县恩策蚀楷掉婪宴派霉周皋贪左便微机技术和仪器系统设计ch4微机技术和仪器系统设计ch4;ROM容量的扩展;例：用8片2764扩展成64k×8位的EPROM：;电可擦除EPROM(EEPROM或E2ROM);写入（写0）;EEPROM芯片2816; EEPROM的缺点：擦写需要高电压脉冲；擦写时间长；存储单元需两只MOS管。;闪存;4.4 CPU与存储器的连接;连接时需考虑的问题;1. 存储芯片数据线的处理;2114
（1）;2. 存储芯片地址线的连接;片内译码;3. 存储芯片片选端的译码;地址扩充（字扩充）;⑴译码和译码器;⑵全译码;⑶部分译码;⑷线选译码;片选端译码小结;4. 存储芯片的读写控制;存储芯片与CPU的配合;1. 总线驱动;2. 时序配合;例题;例题;2716;练习题;;练习题答案;;74LS138的功能表;全译码示例;部分译码示例;线选译码示例;存储芯片的字扩充
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