从电路图到创建层.DOCVIP

从电路图到创建层 这个例子说明了如何使用MWO从电路图创建一个图层。它包含一下几个步骤： 导入层处理文件LPF 编辑数据库单元和缺省的栅格尺寸 导入单元库 在电路图中导入和放置数据文件 改变电路符号 在放置层的微带线 指定电路元件中的ARTWORK单元 查看分层 创建ARTWORK单元 描定层单元 在层中巧妙处理MTRACE文件 层中的Snapping功能 导出层 创建新项目： 选择File New Project； 选择File Save Project As，显示保存对话框 输入项目名（如layout_example），然后单击Save保存； 导入层处理文件： 层处理文件LPF定义了层试图的缺省设置，包括绘制层、层映射、三维视图和电磁视图绘制。 在窗口的左下方单击Layout键显示层管理器； 在层管理器中右击Layer Setup，选择Import Process Definition，显示打开的对话框； 查找目录然后双击打开C:\Program Files\AWR\AWR2002（这是缺省的MWO的安装文件目录。如果你改变了缺省的安装目录，那么你双击安装MWO的目录打开）； 单击选择文件MIC_English.lpf再单击Open打开。层管理器的下面的透明窗口如下显示： 编辑数据库单元和缺省的网格尺寸： 数据库单元被定义为层中精密度最高的单元。这个参量在曾经设置的参量中是不会改变的。改变数据库单元会产生舍入误差导致层文件的问题。网格尺寸很重要因为许多集成电路设计必须依附于网格。网格必须大于等于数据库单元。因为乘法器最小的单元是1X，推荐使用网格为数据库单元的10倍。这是预防比数据库单元更小的网格。 选择Options Layout Options； 在Grid Spacing栏输入.1，Database unit size栏输入.01，然后单击OK确定； 导入GDSII单元库： 在MWO中单元库常被用来提高印制电路板和混合设计程序中的物理包和动力包，包括用在MMIC和RFIC设计程序上的标准ARTWORK单元。MWO提供绘图工具的GDSII文件格式和传统格式。 右击层管理器中的Cell Libraries，选择Read GDSII Library； 在C:\Program Files\AWR\AWR2002目录中，双击并打开它； 双击子目录Examples，然后双击子目录中的Quick Start； 单击文件packages.gds并点击Open打开，在层管理器中显示导入的单元库。如果出现警告窗口，点击OK； 导入数据文件： 在窗口左下方单击Proj； 右击项目浏览窗口的Data Files，选择Import Data File。显示打开的对话框； 打开目录C:\Program Files\AWR\AWR2002并双击打开； 双击子目录Examples，双击子目录中的Quick Start； 选择文件N76038a.s2p并点击Open打开； 在电路图中放置数据文件： 右击项目浏览窗口中的Circuit Schematics，选择New Schematic。显示创建新的电路对话框； 输入qs layout并点击OK； 在窗口左下方单击Elem键显示元件浏览窗口； 单击位于Subcircuits的滚动条，然后单击。子目录显示在下面的窗口； 单击模型N76038a，向上拖动鼠标，拖动元件到电路图窗口，释放鼠标放置元件，然后单击放置，如下图； 改变数据文件的地节点： 你可能偶尔需要改变地节点因为你能只连接ARTWORK单元和拥有相同节点数的元件。 右击电路窗口的子电路元件。显示元件选项对话框； 单击Ground键； 选择Explicit ground node然后单击OK； 改变元件符号： 子电路符号可以由FET来代替，所以你能看到哪个节点对应的栅极、源极、漏极。 双击电路窗口中的子电路元件，显示元件选项对话框； 单击Symbol键； 再选择FET@system.syf，然后单击确定； 放置层微波传输带： 微波传输带元件有缺省的和各个元件相连的层单元。层单元是每个参数的定义值的参数化和动力尺寸。 MWO有专门的微波传输带元件叫Icells（单元），它不需要任何元件的参量值。从连接的元件中Icells自动地继承了必须的参量。 单击窗口左下方的Elem键显示元件浏览窗口； 双击元件浏览窗口的Microstrip； 单击左边窗口的Lines显示线性模型； 单击MLIN模型，移动鼠标往下，拖动元件到电路窗口，释放鼠标。放置元件在支电路N7068a的节点1，再单击放置； 现在在元件浏览窗口中下单击。在下面窗口显现模型； 提示：元件名末尾显示”$”是从连接的端口中继承他们的特性。元件名末尾显示”X”表示由一般电磁模型的查询制表所