离子植入示意图井区Well.PPTVIP

參考文獻 張俊廖主編，《積體電路製程及設備技術手冊》，121~240，1997。 刁建成編譯，《USL製程技術》，3-1~7-31，2000。 任克川，《離子佈值機簡介(一)》，電子月刊第一卷第三期，170~180，1995 任克川， 《離子佈值機簡介(二)》，電子月刊第一卷第四期，150~159，1995 C. Y. Chang and S. M. Sze , ULSI Technology,McGraw – Hill, N. Y. ,1996 工作分配 書面資料製作:張紹琼、蘇可欣 協助資料提供:陳佑任 PPT進程製作:廖書銘、王紀評 上台報告:陳晉緯 * * * * 第6章 擴散製造工程 組別：第三組 指導老師：陳佳雯 班級：科管三甲 學生紹琼 晉緯 紀評 佑任 書銘 可欣 摘要 本章分為三個部份， 第一部份前言介紹擴散製程在晶圓製造中所扮演的角色。 第二部份是介紹擴散製程相關的名詞解釋。 第三部份則是敘述清洗、爐管、離子植入等各類製程及設備。 6-1緒論 擴散製造工程大致分為離子植入、爐管熱氧化物生長、各類薄膜沉積及晶圓清洗製程。 擴散(Diffusion)是指離子、原子或分子由高濃度往低濃度區域 運動的現象。 圖6.1擴散示意圖 圖片來源: 簡禎富(2005)， 國立清華大學出版社，半導體製造技術與管理 高溫爐管之熱製程除了用在離子植入後之井區驅入擴散外，熱氧化物生長製程是矽積體電路最易取得之介電薄膜，其他低壓爐管製程則是藉由化學氣相沉積反應生成氧化物、氮化矽、多晶矽等薄膜。 另外，在進入次微米以下之晶圓製造時，進爐管前之晶圓清洗製程變得很重要，因為晶圓表面之潔淨程度或粗糙度對後續製程之品質與電性影響會愈來愈顯著。 6-2 解釋名詞 離子植入(Ion Implantation) 定義: 將離子以電場加速，使高能量離子植入於晶片當中，常用的離子有P+、As+、B+、BF2+，利用分析磁鐵，可以選擇所要的離子種類。 說明: 定義P井區，N井區，調整臨界電壓，改變阻值，定義源極/汲極等等。 圖6.2：離子植入示意圖 圖片來源: 簡禎富(2005)， 國立清華大學出版社，半導體製造技術與管理 圖6.2：離子植入示意圖 井區(Well) 定義:指以離子植入方式形成不同的半導體特性區域，分為N Well和P Well。 說明:N Well 利用負電電子導電，植入五價源子如P、As。P Well則利用正電電洞導電，植入三價源子如B。 圖6.3井區示意圖 圖片來源: 簡禎富(2005)， 國立清華大學出版社，半導體製造技術與管理 氧化物(Oxide) 定義:通常半導體製程的氧化物是指二氧化矽薄膜，可利用加熱氧化或是化學氣相沉積等方法製作。 說明:半導體製程中的場區氧化層、閘極氧化層是加熱氧化產生的氧化層，氧化物的功能可以做為場區組隔、MOS氧化閘極(GATE OX)等。 圖6.4：氧化物示意圖 圖片來源: 簡禎富(2005)， 國立清華大學出版社，半導體製造技術與管理 閘極氧化層(Gate Oxide) 定義:金屬氧化層半導體構成的電晶體 (Mos;Metal Oxide Semiconductor)，為閘極裝置的一種。 閘極結構中的氧化層稱為Gate Oxide，作為分隔電極的材料。 圖6.5：閘極氧化層示意圖 圖片來源: 簡禎富(2005)， 國立清華大學出版社，半導體製造技術與管理 多晶矽(Polysilicon) 定義:矽的結構中，由不同晶格方向的晶體組成，稱為多晶矽。 說明:物質中原子排列的方向稱為晶格方向，當所有原子排列方向一致，稱為單晶(Single Crystal)，如果是由很多不同方向的單晶組成，稱為多晶(Poly-Crystal)。如果排列方式雜亂無序，就稱為非晶質(Amorphous)。多晶矽用在MOS結構中，作為金屬矽化物(Polycide)與氧化層(Oxide)的連接。 圖片來源: 簡禎富(2005)， 國立清華大學出版社，半導體製造技術與管理 圖6.9：多晶矽示意圖 6-3製程設備說明 6-3.1晶圓清洗製程與設備 6-3.2爐管製程與設備 6-3.3離子植入製程與設備 6-3.1晶圓清洗製程與設備 目前半導體業界所使用之清洗製程，大部份仍參考W.Kern發展出之RCA清洗製程，不斷修改製程濃度比例與溫度，以符合本身產品製程之清洗需求。 一般而言，晶圓清洗製程所要洗淨的對象包括：