微电子工艺第六讲_CVD.pdfVIP

第六章化学气相淀积 概述  化学气相淀积：CVD——Chemical Vapour Deposition。  定义：一种或数种物质的气体，以某种方式激活后，在衬 底发生化学反应，并淀积出所需固体薄膜的生长技 术。 例如：热分解SiH ，SiH = Si （多晶)+2H (g) ， 4 4 2 SiH4+O2 = SiO2 （薄膜）+2H2  CVD薄膜：SiO 、Si N 、PSG 、BSG （绝缘介质）、 2 3 4 多晶硅、金属（互连线/接触孔/ 电极）、 单晶硅（外延）  CVD 系统：常压CVD （APCVD ）Atmospheric 低压CVD （LPCVD ） 等离子CVD （PECVD ）Plasma Enhanced 概述  CVD工艺的特点 1、CVD工艺的温度低，可减轻硅片的热形变，抑制缺 陷的生成，减轻杂质的再分布，适于制造浅结器件及 VLSI；  2 、薄膜的成分精确可控、配比范围大，重复性好；  3 、淀积速率一般高于物理淀积，厚度范围大；  4 、膜的结构完整致密，与衬底粘附好，台阶覆盖性好。 6.1 CVD模型 6.1.1 CVD的基本过程 ①传输：反应剂从气相(平流主气流区)经附面层（边界层） 扩散到（Si ）表面； ②吸附：反应剂吸附在表面； ③化学反应：在表面进行化学反应，生成薄膜分子及副产 物； ④淀积：薄膜分子在表面淀积成薄膜； ⑤脱吸：副产物脱离吸附； ⑥逸出：脱吸的副产物和未反应的反应剂从表面扩散到气 相(主气流区) ，逸出反应室。 6.1 CVD模型 6.1.2 边界层理论  CVD气体的特性：平均自由程远小于反应室尺寸，具有黏滞 性；  平流层：主气流层，流速Um 均一；  边界层（附面层、滞留层）：流速受到扰动的气流层；  泊松流（Poisseulle Flow ）：沿主气流方向（平行Si表面）没有 速度梯度，沿垂直Si表面存在速度梯度的流体； 6.1.2 边界层理论  气体速度受到扰动并按抛物线型变化、同时还存在反 应剂浓度梯度的薄层称为边界层（附面层、滞留层）  气体分子的平均自由程远小于反应室的几何尺寸，可以 认为气体为黏滞性流动  由于气体的黏滞性，气体与硅片表面或侧壁存在摩擦 力，该摩擦力使紧贴硅片表面或者侧壁的气体流速为零  在离硅片表面或者侧壁一定距离处，气体流速过渡到最 大气流Um 6.1.2 边界层理论  边界层厚度δ（x ）(流速小于0.99 Um 的区域)： δ（x ）= （μx/ ρU)1/2 μ-气体黏滞系数，x-距基座边界的距离， ρ-气体密度，U-边界层流速； 1 / 2  平均厚度 1 L 2     x dx ( )L   L 0 3 UL 2L  3 Re  Re= ρUL / μ,称为雷诺数(无量纲),表示流体惯性力与黏滞力之比  雷诺数取值：2000 ，平流型；商业CVD：50-100； 2000 ，湍流型（要尽量防止）。