电子(第12章场效应管及场效应管放大器)t42.pptVIP

第12章 基本放大电路 NMOS场效应管转移特性曲线 增强型NMOS场效应管转移特性 耗尽型NMOS场效应管转移特性 跨导gm 场效应管的微变等效电路 11.5.1 结型场效应管（JFET） N沟道结型场效应管的转移特性 N沟道结型场效应管的输出特性 N沟道结型场效应管的小信号等效电路 P沟道结型场效应管 P沟道MOS场效应管 静态工作点设在恒流区 例3 求静态工作点UGS、ID、UDS，电压放大倍数，输入电阻，输出电阻。gm=2 mS 图解法求静态工作点 估算法求静态工作点 uo +UDD +20V RS ui C1 R1 RG R2 RL 150K 50K 1M 10K D S C2 G 10K 小信号等效电路： 小信号等效电路： ri ro ro? Ui=Ugs+Uo Uo =Id(RS//RL)=gm Ugs RL G R2 R1 RG S D RL RS 求ri G R2 R1 RG S D RL RS ri ri=RG+R1//R2 求ro 加压求流法 ro ro? = RS 1+gm RS I G R2 R1 RG S RS D ri=RG+R1//R2 R1=150k? R2=50k? RG=1M? RS=10k? RL=10k? gm =3mA/V UDD=20V =[3 ?(10//10) ]/[1+3 ?(10//10) ]=0.94 = RS 1+gm RS ro =10/(1+3 ?10)=0.323 k? 代入数值计算 =1+0.15//0.05=1.0375 M? Au= gm RL 1+gm RL uo +UDD +20V RS ui C1 R1 RG R2 RL 150K 50K 1M 10K D S C2 G 10K ? + ui uo 750 ? 10 M? +9 V 750 ? RD RG RS +VDD ? + C3 C1 C2 1 ?F 10 ?F 10 ?F * 海南风光 第12章 基本放大电路 11.5场效应管 12.4 场效应管放大电路 12.4.1 场效应管共源极放大电路 12.4.2 场效应管共漏极放大电路 清华大学电机系电工学教研室 唐庆玉编 12.1放大电路的工作原理及分析方法 12.1.1 放大电路的组成及基本原理 12.1.2 放大电路的分析方法 12.1.3 放大电路的性能指标 12.2晶体管放大电路 12.2.1 共发射极放大电路 12.2.2 共集电极放大电路——射极输出器 12.2.3 复合管放大电路 12.3 场效应管放大电路 12.3.2 共源极放大电路 12.3.3 共漏极放大电路 12.4 阻容耦合多级放大电路 12.5 放大电路中的负反馈 12.5.1 负反馈的概念 12.5.2 负反馈放大电路的联接方式 12.5.3 负反馈对放大器性能的影响 第11章 半导体器件 11.1 半导体基本知识 11.1.1 本征半导体 11.1.2 P型半导体和N型半导体 11.2 二极管 11.2.1 PN结 11.2.2 二极管 11.2.3 二极管小信号等效电路 11.3 稳压二极管 11.4 双极型晶体管 11.4.1 结构及类型 11.4.2 电流放大原理 11.4.3 特性曲线 11.4.4 主要参数 11.4.5 晶体管小信号等效电路 11.5 场效应管 11.5.1 结型场效应管 11.5.2 绝缘栅场效应管 11.5.3 场效应管主要参数 11.5.4场效应管小信号等效电路 11.5 场效应晶体管Field-Effect Transistor (FET) 场效应管与晶体管不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。 结型场效应管(JFET)(Junction FET ) 绝缘栅型场效应管(MOSFET) (Metal-Oxide Semiconductor FET) 场效应管有两大类: N沟道 P沟道 耗尽型 增强型 耗尽型 增强型 N沟道 P沟道 11.5.2 MOS绝缘栅场效应管（N沟道） （1） 结构 P N N G S D P型基底 两个N区 SiO2绝缘层 金属铝 N导电沟道 未预留? N沟道增强型 预留? N沟道耗尽型 漏极 源极 栅极 N沟道增强型 （2）符号 N沟道耗尽型 G S D G S D P N N G S D N P N N G S D ?N沟道MOS管的转移特性曲线 P N N G S D N沟道增强型 ID 实验线路(共源极接