基于ti掺杂硅量子点的mosfet结构的电子显微学表征 characterization of a nanocrystal metal-oxide -semiconductor field effect transistor(mosfet).pdfVIP

第26卷第2期 电 子显微学报 V01．26．No．2 2007年4月 ofChin幅eElec钿on 2007．04 JoumaI MicroscopySocie何 文章编号：1000．628l(2007)02—0110一04 基于Ti掺杂硅量子点的MOSFET结构的 电子显微学表征 马 圆，尤力平，张小平，俞大鹏。 (北京大学物理学院北京大学电子显微镜实验室，北京100871) 摘 要：通过自组装生长并结合两步退火处理，在si02表面得到了Ti掺杂的si纳米晶粒量子点。采用高分辨显 微分析方法，x射线能谱线扫描和z衬度扫描透射显微方法对一系列横截面样品进行详细研究，得到了量子点内 部的成分分布，相关的试验数据吻合一致，验证了Si量子点MoSFET的结构模型。 关键词：纳米晶M0sFET内存；扫描透射显微方法；量子点成分分布 中图分类