基于0.18 μm工艺soi技术60 v ldmos的设计与分析 0.18 μm 60 v soi ldnmos technology design and analysis.pdfVIP

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基于0.18 μm工艺soi技术60 v ldmos的设计与分析 0.18 μm 60 v soi ldnmos technology design and analysis.pdf

基于0.18 μm工艺soi技术60 v ldmos的设计与分析 0.18 μm 60 v soi ldnmos technology design and analysis

第36卷第2期 电子器件 V01.36No.2 Chinese ofElectronDevices 2013年4月 Journal Apr.2013 0.18 60VSOILDNMOS and 8 tan TechnologyDesignAnalysis Wenl QIFanl,TANBaimeih,WENGKun2,SONG (1.InstituteofMicroelectronics,HebeiUniversityofTechnology,Tianjin30000,China; 2.n咖nKeyLaboratoryofMicroelectronics&IntegratedCircuits

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