基于0.18 μm工艺soi技术60 v ldmos的设计与分析 0.18 μm 60 v soi ldnmos technology design and analysis.pdfVIP
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基于0.18 μm工艺soi技术60 v ldmos的设计与分析 0.18 μm 60 v soi ldnmos technology design and analysis
第36卷第2期 电子器件 V01.36No.2
Chinese ofElectronDevices
2013年4月 Journal Apr.2013
0.18 60VSOILDNMOS and 8
tan TechnologyDesignAnalysis
Wenl
QIFanl,TANBaimeih,WENGKun2,SONG
(1.InstituteofMicroelectronics,HebeiUniversityofTechnology,Tianjin30000,China;
2.n咖nKeyLaboratoryofMicroelectronics&IntegratedCircuits
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