宽反射角dbr红光发光二极管 wide reflected angle dbr red light led.pdfVIP

宽反射角dbr红光发光二极管 wide reflected angle dbr red light led.pdf

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宽反射角dbr红光发光二极管 wide reflected angle dbr red light led

W电子·激巍 of 第19卷第4期2008年4月 Journal V01.19No.4 Optoelectronics·Laser Apr.2008 宽反射角DBR红光发光二极管* 韩 军一,李建军,邓 军,邢艳辉,于晓东,林委之,刘 莹,沈光地 (北京市光电子技术实验室,北京工业大学,北京100022) 摘要:对用于提高AIGalnP红光发光二极管出光效率的传统DBR进行了分析,用MOCVD生长了包含对垂直 入射光反射的DBR和对斜入射光反射的DBR复合在一起的红光LED,在20mA注入电流下,LED的峰值波 长为630nrn,轴向光强达到137 med,输出光功率为2.32mw。与常规的LED相比,光强和输出光功率有很大 的提高。 关键词:红光发光二极管;分布布拉格反射镜;金属有机物化学气相沉积 中图分类号:TN383文献标识码:A文章编号:1005—0086(2008)04—0456-03 WidereflectedDBRred LED angle light HAN Jun一,LIJian-jun,DENGJun,XINGYan-hui,YU Wei—zhi。 Xiao-dong,LIN UU Ying。SHENGuang-di China) (BeijingOptoelectronieTechnologyLab.BeijingUniversityofTechnology,Beijing,100022 was Abstract:WetheconventionalDBRwhichusedtOincreasethe extraction inAIGaInPred analyzed light effidency light LED.ThecoupledDBRUD、Il,ithoneⅨjRtoreflectnormalinddeneeandoneDf泯toreflectinelinedinddenee light Jight was by^∞,DAt20mADe current,theLED WaS630nm.the 0fOnaxis grown injection peakwavelength light intensity was 137med,andthe was2.32mW.The and were than outputlightpower lightintensityoutput power 1ight improved mnventional吼 Keywords:RedLED;DBR;MOCⅦ 本文对传统用于红光LED的DBR反射率进行了分析,在 1 引 言 模拟计算的基础之上,指出了

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