.IC基础知识及制造工艺流程 050701.ppt

* * 净 化 室 * * IC制造环境(2) 超纯水 - 极高的电阻率（导电离子很少）　18M? - 无机颗粒数　5ppb (SiO2) - 总有机碳（TOC) 20ppb - 细菌数 0.1/ml * * IC制造环境(3)超纯化学药品 DRAM 64k 256K 4M 64M 1G 线宽(um) 3.0 2.0 1.0 0.5 0.25 试剂纯度 10ppm 5ppm 100ppb 80ppb 10ppb 杂质颗粒 0.5u 0.2u 0.1u 0.05u 0.025u 颗粒含量 （个／ml) 1000 100 15 2.5 1 金属杂质 1ppm 100ppb 50ppb 1ppb * * 成品率 - Y=Y1*Y2*Y3 Y1: 产出硅片／投入硅片 　Y2: 合格芯片／硅片上总芯片 　Y2 ＝e-AD D缺陷密度A芯片面积 　Y3　封装合格率 - 从材料、设备、工艺、人员、管理等方面减少缺陷密度，提高成品率． * * 谢谢! * * IC基础工艺(5)－离子注入 - 离子注入原理 　杂质分布　 　投影射程和标准偏差 - 离子注入掺杂的优点 　掺杂量可精确控制 　温度低　易得浅结　可带胶注入 * * IC基础工艺(5)－离子注入 * * IC基础工艺(5)－离子注入 * * IC基础工艺(6)－外延 Si Si Si SiCl4 H2 HCl * * 外延炉 * * IC基础工艺(7)－化学气相淀积（CVD） - 原理 　SiH4+O2 SiO2+2H2 　Si(OC2H5)4 SiO2+副产物 　SiH4 Si+2H2 - LPCVD和PECVD - PSG和 BPSG - 用途　　导电层间绝缘层，钝化层 * * CVD系统 CVD系统组成： 气体源和输气系统 质量流控制 反应器加热系统 * * * * IC基础工艺(8)－溅射（金属） 基座 硅片 靶 轰击离子Ar+ 溅射原子 * * IC基础工艺(8)－溅射（金属） - 常用金属化材料 - 铝硅系统优点　低电阻率　低接触电阻 　－纯Al 　－AlSi（防铝尖刺） 　－AlSiCu　（抗电迁移） - 合金化 - 多层布线 　 * * * * 目录 -最重要的半导体材料－硅 -构建集成电路的主要半导体器件 -关键的集成电路工艺制造技术 -集成电路技术发展趋势 * * 集成电路技术发展趋势 - 特征线宽不断变细、集成度不断提高 - 芯片和硅片面积不断增大 - 数字电路速度不断提高 - 结构复杂化、功能多元化 * * IC技术发展趋势(1)特征线宽随年代缩小 * * IC技术发展趋势(2)硅片大直径化 直径 mm (inch) 75 (3) 100 (4) 125 (5) 150 (6) 200 (8) 300 (12) 引入年代 1972 1975 1977 1984 1990 1997 * * IC技术发展趋势(3)CPU运算能力 年代 CPU型号 运算能力(MIPS) 1982 286 1 1988 386 8 1991 486 20 1995 Pentium 100 1996 Pentium-2 250 1998 Pentium-3 800 2001 Pentium-4 2000 * * IC技术发展趋势(4)结构复杂化　功能多元化 Bipolar CMOS BiCMOS DMOS BCD * * IC制造工艺流程 * * 双极型集成电路工艺流程(1)埋层 - 埋层光刻－埋层注入 Sb+ P (111) Sub 10-20?-cm * * 双极型集成电路工艺流程(1)埋层 - 埋层扩散 P 衬底 N+　埋层 * * * * 双极型集成电路工艺流程(2) 外延 　　　　　　 　　 P Sub N-Epi N+ 埋层 * * 双极型集成电路工艺流程(3) 隔离 隔离光刻－隔离注入 P Sub N- Epi N+ * * 双极型集成电路工艺流程(3) 隔离 - 隔离扩散 N-Epi N+ P+ P+ * * 双极型集成电路工艺流程(3) 隔离 * * 双极型集成电路工艺流程(4)基区 - 基区光刻－硼离子注入－基区扩散 N　埋层 P+ P+ 基区 * * 双极型集成电路工艺流程(5)发射区 发射区光刻－磷离子注入－发射区扩散 N+ P+ P+ p N+ N+ * * 双极型集成电路工艺流程(6)接触孔 - 接触孔光