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4.4.2.5二氧化硅 在集成电路工艺中，二氧化硅是一种多用途的基本材料，它通过热氧化生长和为满足不同要求采用不同工艺淀积获得. 二氧化硅的腐蚀速率对温度最敏感，温度越高，腐蚀速率越快，腐蚀时必须严格控制温度。 * 4.4.2.6氮化硅 在集成电路工业中，氮化硅（Si3N4）广泛用于电绝缘和表面钝化。PECVD氮化硅主要用于集成电路的钝化，由于氮化硅的多孔性，在HF中其腐蚀速率高于热法生长的二氧化硅，因而在表面微结构中应用不多,主要应用于多晶硅表面微结构的基体绝缘。 4.4.2.7磷硅玻璃（PSG） 磷硅玻璃也是一种应用广泛的牺牲层材料。其淀积应力比二氧化硅小，其制备工艺：LPCVD采用SiO4、O和PH3，PECVD应用SiH4、N2O和PH3或四乙氧硅烷（TEOS），三甲亚磷酸盐（TMP）淀积而成。 * 在牺牲层被刻蚀后，微器件要进行漂洗和吹干。在器件浸入和提出溶液的过程中，溶液蒸发会产生一个很大的毛细管作用力，把微器件拉向基体产生粘附现象，在两表面之间形成接角力。 图4.49 微器件粘附形成（a）和解决方法（b）示意图 4.4.2.8粘附现象 * 应用于表面微构件的薄膜存在着较大的残余应力该残余应力场对薄膜淀积条件和后工艺过程十分敏感这些残余应力影响着构件负载特性、输出、频率其他重要运行参数，所以在形成一个表面微加工工艺以前充分理解和掌握这些机械特性。 4.4.3.1原位特性试验装置 薄膜本征应变场估价的试验装置是测量薄膜与基体分离后产生的尺寸变化。当薄膜与基体分离后，薄膜的应力得到松弛，其伸长或缩短正比于本征应变场的大小，试验装置为应力松弛提供了直接与间接的测量。 4.4.3多晶硅的机械特性 * 键合技术包括有阳极键合技术，硅/硅基片直接键合，其他硅一硅间接键合技术等。阳极键合又称静电键合或协助键合，具有键合温度较低，与其他工艺相容性较好，键合强度及稳定性高，键合设备简单等优点,因此,广泛应用于硅/硅基片之间的键合、非硅材料与硅材料、以及玻璃、金属、半导体、陶瓷之间的互相键合 4.5键合技术 * 阳极静电键合的机理：在强大的静电力作用下，将二被键合的表面紧压在一起；在一定温度下，通过氧----硅化学价键合，将硅及淀积有玻璃的硅基片牢固地键合在一起. 阳极键合质量控制的主要因素：在硅片上淀积玻璃的种类，硅基片的准备，键合工艺和键合设备。 (1) 玻璃种类对键合质量的影响 (2) 高质量的硅基片准备工艺 (3) 控制阳极键合工艺参数保证键合质量 (4) 键合装置对键合质量的影响 4.5.1.1阳极键合机理 * 4.5.1.3 极键合技术的应用 硅/硅阳极键合的许多实例是在微电子器件中制造SOI（silicon on insulate）结构，此处介绍一种具体工艺流程，如图4.61所示。 图4.61 阳极键合在SOI结构中的应用 * （1）在第一块硅基片上用各向异性刻蚀技术刻出U型沟槽，并作氧化处理。 （2）在上述氧化处理的表面上沉积100厚的多晶硅 （3）将多晶硅表面磨平，抛光后再氧化。或者在此抛光的表面上溅射沉积0.5-20厚的Corning7740玻璃层。 （4）选择合适的阳极键合工艺参数，将该基片与中一硅基片进行阳极键合。 （5）对第一块硅片进行减薄，SOI结构基本完成，可用作专用器件的制造。 * 硅/硅基片直接键合，又称硅的熔融键合。应用这种键合技术必须符合两个要求：抛光的两个基片表面必须紧密接触；两者界面处的硅原子能形成稳定的键。 4.5.2.1 硅/硅基片直接键合机理 抛光清洗后的硅基片表面，一般存在一层很薄的1～6nm氧化物，以区别于热法生成的氧化物，该薄层氧化物为本征氧化物（native oxide）。在实际结构应用中，有的是硅/硅直接相键合，有的是硅/二氧化硅直接键合，也有的是二氧化硅/二氧化硅键合。 4.5.2.2 硅-硅直接键合工艺及其质量控制 4.5.2 硅/硅基片直接键合技术 * 键合质量主要受键合界面处空洞存在的影响。因此要控制工艺参数对界面空洞形成及清除。 （1）键合前基片表面预处理工艺 （2）键合温度的控制 （3）键合强度 * 4.5.3 其他硅-硅间接键合工艺 硅-硅间接键合工艺还有多种，如有胶水、低温玻璃、金硅（金锡）共晶及其他金属，用合金中间层来达到键合目的。 4.5.3.1 金硅共晶键合 金硅共晶键合的基本机理：在超大规模集成电路技术中硅芯片与基片的焊接经常使用金硅“焊锡”。金膜的厚度对键合质量有一定的影响，若金膜太薄，没有足够的共晶熔体覆盖整个键合界面，且冷却下来后，该合金是硅加金二相共晶，不太可能实现100%面积的键