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* 1 Why can it improve the efficiency of atomize * 1 * 1 样品到分析的结果 : 色散 棱镜 光栅 样品引入部分 雾化 电热 氢化物 检测 照相 光电倍增管 二极管阵列 (PDA) CCD/CID 分析结果 结果处理 结论 电脑 激发 直读光谱 火焰 辉光放电 (GDL) 微波等离子体 (MIP) ICP 激光 Oxiclear cartridge (@CirOS left) 真空紫外光学部分 (@CirOS left top) 高压电路 (@ CirOS back) 过滤器 射频发射器的冷却管路 (@CirOS top) 废液室 4-道蠕动泵 样品引入 CCD 控制板 循环泵 光学接口和矩管 射频发生器控制电路(@CirOS right side) 发生器 (SPECTRO CIROSCCD) 作用: 能量传递到等离子 自激式 at 27.12 MHz 最小的稳定时间 (~ 15-20 min.) 宽范围的能量选择: 700 W - 1700 W 射频功率（能量）的作用(SPECTRO CIROSCCD) 最小的能量维持等离子体的激发 充分的能量用于激发 准确和同时测量背景发射，是降低检出限的必要条件 中间条件1350 W-1450 W 90 % to 95 % 的应用得到满足(1350-1450) Relative emission Background Line Power 射频功率的影响图 1200 W 1190 W 1210 W 归一化[%] 电场和磁场 射频产生电场和磁场 等离子体的产生 Ar + e- ? Ar+ + 2e- Cause ionization Ar + e- ? Ar+ + 2e- M + e- ? M+ + 2e- 等离子火炬 样品引入 磁场 电感线圈 等离子体 发射区 石英矩管 氩气的切向流动 一体式矩管 3同心石英矩管 分体式 可选择中心喷射管（石英或者氧化铝） 发射参数的优化 冷却气流 辅助气流 原子化气流 (影响原子化) 额外气流 (if necessary) 观测位置 (for side-on/axial viewing plasma) 发生器功率 蠕动泵 (相对的) 气体流量的影响 冷却气的流量: 7-20 L/min 辅助气: 0-3 L/min 载气: 0.5-1.5 L/min 雾化气（载气）的影响 3 bar 2.9 bar 3.1 bar 归一化[%] EOP - End-on plasma （端视等离子体） End-on (or axial) plasma（轴向观测等离子体） 3 6 2 4 1 5 7 1 – 光学腔 2 – 水冷等离子体接口 3 – 氩气反吹 4 – 尾焰 5 – 分析区 6 – 射频线圈 7 – 等离子体矩管 Spectro 专利 OPI 分光仪 入射狭缝 光栅 出射狭缝 检测器 :线性阵列CCD SPECTRO CIROSCCD: 光学系统 19 CCD K 766nm Li 670nm Na 589nm 副光栅 2400 l/mm 主光栅 2924 l/mm 460nm 125nm 入射狭缝 虚拟入射狭缝 双光栅光谱仪 与CCD阵列 光栅方程 d b c a a = 光栅方向轴 b = 入射角 i c = 衍射角 r d = 光栅常数 n = 衍射级次 nl = d(sin i + sin r) 电感耦合等离子体发射光谱仪 CirOS: n = 1 ? 收集最强的衍射光 线性CCD片 电感耦合等离子体发射光谱仪 特点 : 2,500 像素每片 最短的积分时间: 1 ms 基于信号强度的自动积分时间优化 自动的暗电流扣除 ???? 掺杂的硅晶体吸收光子 一定面积的芯片（像素）产生电子 ???????????????????????????????????????????? ??????????????????????????????????????????????????????????????????????? CCD的工作原理 电感耦合等离子体发射光谱仪 电子的传输通过不同的芯片进行 ???? ???? ??????????????????????????????????????????????????????? CCD芯片的工作原理 电感耦合等离子体发射光谱仪 每个像素的读出 放大和传输得到相应的电压 CCD芯片的工作原理 电感耦合等离子体发射光谱仪 样品引入部分 矩管 一体 分体式 耐氢氟酸 原子化器 同心雾化器 交叉雾化器 高盐雾化器 雾室