图形改正方法在邻近效应修正中的应用 shape adjustment method for proximity effect correction in electron lithography.pdfVIP

第27卷第5期 电子溅微学报 Vol-27，No．5 2008年10月 ofChineseElectron 2008．10 Journal MicroscopySociety 文章编号：1000-6281(2008)05-0375-04 图形改正方法在邻近效应修正中的应用 肖 i市，林季资 (江苏耪援大学，袭家港狡嚣，汪苏器家港215600) 擒要：本文剃甩髓高斯形式的掷置荛函数束表达电予束雀抗蚀荆中能量的分布，并以邻近函教簿豢础许算一些简 单图形在曝光时所需的尺寸玫璺薰。通过与实验的比较来说明该方法的-．rjt性，并对所得结暴进行讨论和分析。 关建词：邻近效应坟正：电子束光刺 审蟹分类号：TN405；TN305文献糖识码：A 毫子素巍麴霹分鸯壹写毫子慕毙弱秘授影毫予 熹豹踅离。式(1)孛第一磺攘述冀辇教射毫子，宅翘镄 粜光刻。直写电子柬光刻最早是用米制作掩模及剽 电子柬困散射丽产生的束扩散、入射电子束的形 蚀半导体器件。电子束光刻是一种有效的光刻技 状m1等因素，其特征宽度几十nm到一百多砌。第 术，但在发展过稷中遭遇到制约因素一邻近效 二项描述背散射电子(主要从衬底散射回抗蚀剂的 应H。j。如使电子蒙光刻葶摹刭实鼯应羯登须对邻近 电子)，它的特征宽度高达凡手rtm。在毫能电予入 效应进行校正瞄。¨。本文介绍蚕形改正的方法是穰 射条彳掌下，前散射电子因教袈造成粒扩散著不舞燕， 用简单的近似公式进行计算，可以较快地得到校正 而背散射电子的散射范围则比前散射电子大的多， 的结果。此方法的快速、有效性可以在电子束光刻 因此背散射电子的特征宽度舟远大于前散射电子 邻近效应的修擞巾得到应用。 的特征宽度吐。式中口，|i9和叩W以由实验或计算机 模蘩褥蓟。藏嚣隽背教麓电子犬约特征宽度，麝泼 l模型 邻近效应主簧蠢背散射电子产燕。 电子入射到抗蚀剂和衬底后岛抗蚀剂和衬底材 如果有托个需要刻蚀的图形，每个图形的丽积 料原子发生碰撒盥被散射。散射腐的电子可分为前 为^p每个点入射的电子数目‰，由公式(1)在点rj 散射电子和背散射电子，所以电予在抗蚀剂中沉积 处的沉积能燕就可以表示为： 蕤量戆努毒又霹分秀蔫教嚣分布鞫鹜散射分毒。姿 8 ， 沉积能量达羁一定的阙值后会使抗蚀剂分子发生纯 ￡(^)=玮。k芝：l武^)d盖，(2) 弋j 4I 学反应，在显影的过程中显影液溶解掉发生反应的 t为入射电子在抗蚀剂中能量的沉积率，设定为一 抗蚀剂分子，从而在抗蚀剂中得到刻蚀的图形。在 常数。如果显影所需的阈值能为玩，就可使图形边 离能电子束光刻巾，入射电子豹熊爨商达几十keV， 缘鹃能量￡等于最，然鑫遥避公式(2)零出大予翊 散射毫子静范嚣越达梵手ilm远大子抗缓荆熬零 值的歪