微机原理第5章 半导体存储器及其接口.pptVIP

教学重点 存储器的分类 RAM存储器及其接口 了解只读存储器ROM 半导体存储器概述 存储器是计算机系统中用来存储信息的部件（存放0、1形式的二进制编码），它是计算机中的重要硬件资源。 从存储程序式的冯.诺依曼经典结构而言，没有存储器，就无法构成现代计算机。 存储器的分类 1、按存取速度和在计算机系统中的地位分类 两大类：内存（主存）和外存（辅存） 内存：CPU可以通过系统总线直接访问的存储器，用以存储计算机当前正在使用的程序或数据。 速度快，容量小，成本高 外存：用来存放相对来说不经常使用的程序和数据，或需要长期保存的信息。外存只与内存交换信息，不能被CPU直接访问。 速度较慢，容量大（海量存储器），成本低 按存储介质分类： 半导体存储器； 磁表面存储器：(如磁带，磁盘，磁鼓，磁卡等）； 光表面存储器（CD－ROM）； ? 按存取方式分类： 随机存储器（RAM） 只读存储器（ROM 5.1.1 半导体存储器的分类 5.1.1 半导体存储器的分类 1. RAM按制造工艺可分为 双极型：速度快、集成度低、功耗大，一般用在高档微机中或用做Cache MOS型：速度慢、集成度高、功耗低。微机的主存储器一般为它。根据是否有刷新电路又可分为： 静态RAM：以六管构成的触发器作为基本存储电路，存储的信息相对稳定，无需刷新电路；速度比DRAM快但集成度不如DRAM，功耗也较DRAM为大。 动态RAM：以单管线路构成其基本的存储电路，因此集成度高，成本也相对便宜。但其中的信息易消失，故需要专门的硬件刷新电路。 读写存储器RAM小结 2. 只读存储器ROM 掩膜ROM：信息制作在芯片中，不可更改 PROM：允许一次编程，此后不可更改 EPROM：用紫外光擦除，擦除后可编程；并允许用户多次擦除和编程 EEPROM（E2PROM）：采用加电方法在线进行擦除和编程，也可多次擦写 Flash Memory（闪存）：能够快速擦写的EEPROM，但只能按块的方式（Block）擦除 5.2.1 SRAM 速度快 不需要刷新：简化了外围电路。 片容量低、功耗大 如图：双稳态触发器的A,B两管，A导通B截止，表示数据1，反之，A截止B导通表示0 T1、T2构成双稳态触发器，T3,T4为负载管 RAM的结构示意图 ① 存储体 存储器芯片的主要部分，用来存储信息 ② 地址译码电路 根据输入的地址编码来选中芯片内某个特定的存储单元 ③ 片选和读写控制逻辑 选中存储芯片，控制读写操作 ★ 存储矩阵 ★ 每个存储单元具有一个唯一的地址，可存储1位（位片结构）或多位（字片结构）二进制数据 存储容量（一般指的是位容量）与地址、数据线个数有关： 芯片的存储容量＝2M×N＝存储单元数×存储单元的位数 M：芯片的地址线根数 N：芯片的数据线根数 如果存储矩阵的容量为210×8 表示： ① 每8个存储位分配一个地址，每个地址对应8个存储位。 ② 8个存储位并行，要求8根数据线。 ③共有地址210个，即1K个地址空间。 ★ 地址译码器 ★ 地址译码电路的功能是根据地址选中相应的存储单元，将其与数据总线连通 地址译码方式示意图（续） 在上图中，存储单元的大小可以是一位，也可以是多位。如果是多位，则在具体应用时应将多位并起来。 一个实际的例子-Intel 2114 Intel 2114是一个1K×4位的SRAM。其外部引脚图如图6-8所示。 5.2.2 DRAM 片容量高 需要刷新 用电容存储电荷原理保存信息。 将晶体管电容的充电状态和放电状态分别作为1和0 电容Cs的容量不可能很大，每次输出都会使Cs上原有的电荷泄放．存储的内容就被破坏(也即读出是“破坏性读出”)。 为此每次读出后都需要进行再生(重新写入)，以恢复CS上的充放电状态。 （5）快闪存储器（Flash Memory）。也是采用浮栅型MOS管，存储器中数据的擦除和写入是分开进行的，数据写入方式与EPROM相同，一般一只芯片可以擦除/写入10万次以上。 5.4 半导体存储器与CPU的接口技术 在将RAM与CPU连接时，主要连接以下三个部分的信号线： 数据线 地址线 读写控制线 5.4.1 RAM与CPU的连接 存储芯片与CPU总线的连接，还要考虑以下方面的问题： CPU的总线负载能力 CPU的总线驱动能力有限，因此应考虑CPU能否带动总线上包括存储器在内的连接器件。必要时就要加上缓冲器。 存储芯片与CPU总线时序的配合 CPU能否与存储器的存取速度相配合。如果不能满足，可以考