硅表面直接生长十八烷基硅烷小分子自组装单层抗蚀剂的亚稳态氦原子光刻技术 metastable helium atom beam lithography with octadecyltrichlorosilane self-assembled monolayer resister grown directly on silicon surface.pdfVIP

第29卷第2期 电子显微学报 VoI-29．No．2 2010年4月 JournalofChineseElectron 2010．04 MicroscopySociety 文章编号：1000一6281(2010)02．0123旬6 硅表面直接生长十八烷基硅烷小分子自组装单层 抗蚀剂的亚稳态氦原子光刻技术 王中平1”，张增明1，仓桥光纪3，铃木拓3，丁泽军2，山内泰3 (中国科学技术大学1．物理实验教学中心，2．物理系，安徽合肥230026； 3．国家材料科学研究所(NIMS)，日本茨城县筑波市，305—0047) 摘要：选取不同尺寸和形状的物理掩模，以硅表面直接生长的十八烷基硅烷小分子自组装单分子层作为抗蚀 荆，硅(100)为衬底，亚稳态氯原子作为曝光源，利用湿法化学刻蚀方法在衬底上制备具有纳米尺寸分辨率的硅结 构图形。基于扫描电子显微镜、原子力显微镜的表征结果表明：原子光刻技术可以把具有纳米尺度分辨率的