ndfeb永磁靶材溅射模拟 sputtering simulation of ndfeb permanent magnet target.pdfVIP

第27卷第6期 电 子 元 件 与 材 料 、，oI．27No．6 oD^Ⅱ叼悄同N1[sANDMATERIALS Jun．2008 2008年6月 圈Ll强TRONIC NdFeB永磁靶材溅射模拟 雒哲廷，张敏刚，伍静，罗春云 (太原科技大学材料科学与工程学院，山西太原030024) 到溅射产额与入射离子能量、入射角度以及溅射靶材的一般规律：1)溅射产额随着入射离子能量的增加而增加，在低 能量区域增加很快，到了高能量区域增加变缓；2)溅射产额随着入射离子入射角度的增大逐渐增大，且在70080*出 keV时，溅射产顿可迭4．398(原子·离子一)；3)溅 现极大值，如当入射离子的入射角度为75。，入射离子能量为7 射原子的摩尔比与靶材原子摩尔比存在一定偏差，导致薄膜成分与靶材成分不一致．