(pb0.76ca0.24)tio3薄膜电畴反转行为的压电力显微镜研究 piezoresponse force microscopy studies of domain switching behavior in (pb0.76ca0.24)tio3 thin films.pdfVIP

第28卷第3期 电子显微学报 V01．28．No．3 2009年6月 Electron 2009．06 ofChinese Journal MicroscopySociety 文章编号：1000．6281(2009)03．0204．05 刘子铃1，谢 中¨，郭海燕2，许建斌3 3．香港中文大学电子工程系，香港) nm左右的晶粒表现为 电响应模式(PFM)观测了PCT薄膜的纳米尺度畴结构。畴结构和晶粒尺寸相关，尺寸在100 单畴，尺寸较大的晶粒表现为多畴。利用压电力显微镜研究了PCT薄膜中电畴的极化反转行为。通过SFM撂针对 畴施加一系列直流偏压极化。在每次极化后，利用压电响应模式扫描进行压电力成像，获得了与极化电压相关的畴 反转信息。用探针施加