光电子学第四章 4.2-4.3.pptVIP

4.2 光探测器的工作基础 杨晓占 光电信息学院 工作机理：将光信号转变为电信号 实现方法： 内、外光电效应一步实现 光热效应和热电效应两步实现 外光电效应 材料受光照射后有电子从表面逸出的现象称为光电效应，逸出电子称为光电子。（外光电效应） 光电导效应 在光的照射下，材料的电导率发生变化的现象。 金属中一般不发生，主要在半导体中发生。 光生伏特效应 光的照射会产生电子-空穴对，在扩散中会重新复合，复合前如果半导体中存在某种电势垒，则处于势垒附近一个扩散长度范围之内的电子-空穴对，就有可能在复合前通过扩散运动到达电势垒的强场区，后者将电子和空穴分别推向势垒两侧，形成电荷堆积，这种现象称为光生伏特效应。 P区多子（空穴）浓度高于N区，所以P区空穴向N区扩散，P区空穴扩散到N区与N区的电子中和，在P区留下不可移动的负离子，同理N区也留下不可移动的正离子。 N区正离子与P区负离子之间有电势差，叫做势垒。电场的方向是N区指向P区的，阻碍多子的扩散，却有利于少子的运动，少子的运动叫做漂移，飘移与扩散都产生电流。随着扩散的进行，势垒增大，漂移增强，扩散减弱，最后飘逸电流与扩散电流相等。达到平衡，流过PN结的净电流为0，达到平衡。 为什么会复合: 空穴是带正电的,电子带负电,正负结合理所当然 为什么会平衡: 处于一个平衡电场里 光-热-电效应 光热效应：当光照射时，材料将吸收光能转换为晶格或分子热运动的能量，从而引起温度上升。 以此为工作机理制备的探测器称为光热型光电探测器。 升温后将温度转化为其他物理量如电量来检测。 光-热-电，两步实现光电信号的转化。 热释电材料的特点 具有很差的对称结构，自然状态下某个方向正负电荷中心不重合，在与此方向垂直的表面形成一定量的极化电荷。温度恒定时，该极化电荷保持为常数，且被表面附近的外界自由电荷所中和，中和过程需1~1000s。 材料温度变化时，正负电荷中心发生位移，引起表面极化电荷变化。从温度变化→极化电荷变化弛豫时间很短，ps量级。 4.3 光子发射型光电探测器 光电探测器分类: (1)光子探测器（利用各种光子效应）；（2）热探测器（利用温度变化效应）。 光子效应：光电子发射、光电导、光生伏特、光电磁等。 光热效应：温差电、电阻率变化、自发极化强度变化、气体体积和压强变化等。 基于光电子发射效应的器件在吸收了大于红外波长的光子能量以后，器件材料中的电子能逸出材料表面，这种器件称为外光电效应器件。 基于光电导、光伏特和光电磁效应的器件，在吸收了大于红外波长的光子能量以后，器件材料中出现光生自由电子和空穴，这种器件称为内光电效应器件。 应用光电子发射效应制成的光电探测器称为光电子发射探测器。 光电管、光电倍增管 1. 光电倍增管 光电倍增管photomultiplier ：可将微弱光信号通过光电效应转变成电信号并利用二次发射电极转为电子倍增的电真空器件。 把光子入射到光阴极上产生光电子，光电子通过输入电子光学系统进入倍增系统，再经过二次发射多次倍增后由阳极收集起来，形成输出电流或电压。 1.1 光电阴极 光电倍增管的性能主要由阴极和倍增极以及极间电压决定。 是光电倍增管的发射部件 主要参数一：灵敏度 光谱灵敏度不易检测，常用白光灵敏度和光照灵敏度表示。 光照灵敏度：在色温为2856K的标准钨丝灯照射下，对应1lm的光所产生的光电流。 负电子亲和势材料是目前最好的光电阴极材料。 另一参数：热电子发射 产生原因： 在一定温度下，随无光照射，阴极中某些电子的热运动能量可达到或超过其功函数，因而产生热电子发射。 影响因素 温度 光阴极材料（决定探测器响应波长的关键因素） 依据响应波长由短到长，阴极材料有 铯的化合物 Cs-I 响应波长：115-200nm 通常直接镀在第一倍增极的无窗光电倍增管 Cs-Te 响应波长：300nm 碱金属的锑化物 单碱锑化合物：锑与一种碱金属的化合物。CsCb 响应波长：紫外到700nm 双碱化合物：锑与两种碱金属的化合物。 Sb-K-Cs, Sb-Na-Cs, Sb-Rb- Cs,响应波长：与单锑类似，但灵敏度较高。 多碱锑化合物：Sb-Na-K-Cs,响应波长：从紫外到红外（930nm） Ag-O-Cs 反射型的响应范围：300-1100nm 透射型的响应范围：300-1200nm 可见区灵敏度低，近红外高。 1.2 电子倍增极 决定探测器灵敏度的关键部件 工作原理：二次电子发射 当动能足够大的电子打到电子倍增极上时，其表面将发射新的电子。 入射电子为一次电子；发射电子为二次电子 评价电子倍增极的主要参数是二次发射系数σ 光电倍增极的材料及结构 材料： 碱的锑化物（CsSb